안녕하세요. ETCH 쪽에서 ENG'R로 근무중인 현직자입니다.

 

업무 중 궁금점이 생겨 간단하게나마 공부 후 질문내용 정리하여 문의드립니다.

 

상황
ICP 설비에서 BIAS REFLECT POWER를 줄이기 위하여 RF FREQUENCY TUNE을 이용한 상황입니다.
FREQUENCY TUNE을 사용하면 임피던스 Z가 변하면서 REFLECT POWER가 변하며, FORWARD POWER는 임피던스 Z와 Vpp에 영향을 받는 것으로 알고 있습니다.


질문
  1. 현재 설비는 VOLTAGE MODE를 사용중인데, 이때 Generator에서 인가하는 Voltage가 Vgen이라고 하면 BIAS RF VOLTAGE = Vgen = Vpp 동일한 값을 가지는지 궁금합니다.

 

  2-1 동일하다면, VOLTAGE MODE에서는 FREQUENCY 가변을 하게되면 임피던스의 변화에 따라 BIAS FORWARD POWER가 변한다는 가정이 옳다고 볼 수 있을까요?

  2-2 FORWARD POWER가 변한다는 가정하에, REFLECT POWER 역시 변할텐데, 결과적으로 LOAD POWER도 같이 변할 것으로 생각되는데 해당 가설이 적절한가요?
 
  3. POWER MODE에서는 FORWARD POWER가 SET된 값으로 인가되기때문에 RF Frequency 가변에 따라 Vpp값도 변하여 Forward POWER는  일정한게 맞을까요?

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [276] 76874
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20274
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57199
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68751
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92695
797 C2H2 플라즈마코팅시 가스 원인과 대책 10
796 Druyvesteyn Distribution 13
795 DBD 방전 방식의 저온 플라즈마 관련해서 3가지 질문 드립니다. [1] 22
794 플라즈마 식각 커스핑 식각량 26
793 Si 와 SiO의 선택적 식각 관련 문의입니다. 40
792 Showerhead와 Heater간 간격에 따른 RPC 효율성 [1] 60
791 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] 64
790 새삼스럽지만 챔버 내에 전류의 정의를 여쭤보고싶습니다. [1] 65
789 플라즈마 설비에 대한 질문 70
788 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] 71
787 Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] 71
786 진공 챔버에서 Plasma Off시 Particle의 wafer 표면 충돌 속도 [1] 75
785 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 77
784 RF magnetron Sputtering 공정에서의 질문 [1] 91
783 RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] 94
782 RF generator의 AMP 종류 질문입니다. [1] 116
781 반사파에 의한 micro arc 질문 [2] 116
780 Impedance I 값을 결정 짓는 요소 관련 질문 [1] 120
779 챔버 내 전자&이온의 에너지 손실에 대해 [1] 137
778 Microwave & RF Plasma [1] 137

Boards


XE Login