Etch DC Bias Vs Self bias
2004.11.05 17:03
안녕하세요 김곤호 교수님,
(주)듀폰 포토마스크에 근무하고 있는 이철중입니다.
SETEC에서 진행하는 플라즈마 교육을 수강한 회사원입니다.
강의 내용을 들여다 보다 개념이 정확하지가 않은 것이 있어서 여쭙니다.
저희 회사에도 ICP Dry etcher가 있는데요 ....
모니터를 보다보면 ETCHING 중에 VDC라는 것이 디스플레이가됩니다.
이 전압은 RIE와 ICP POWER를 올리면 같이 올라갑니다.
일반적으로 ETCHER에서 보여주는 이 VDC가 저희가 알고 있는 SELF BIAS와 같은 건지 알고 싶습니다.
만약 그렇다면 장비의 정확히 어디서 부터 어디까지의 전압인지 궁금하고 어떤 방식으로 그 값을 읽어 내는지요.
장비마다 구조가 달라 답변을 주시기 모호하겠지만 일반적인 장비를 기준으로 설명해 주시면 감사하겠습니다.
감사합니다.
댓글 5
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [276] | 76858 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20263 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57197 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68748 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92613 |
177 | RF를 이용하여 Crystal 세정장치 [1] | 18878 |
176 | RF plasma에 대해서 질문드립니다. [2] | 20973 |
175 | floating substrate 에서 sheath 형성 과정 의문점 [2] | 22856 |
174 | MATCHING NETWORK 에서 BACKWARD BIAS 가 생성되는 이유가 무엇 입니까? [3] | 22582 |
173 | glass 기판 ICP 에서 Vdc 전압 | 21766 |
172 | self bias (rf 전압 강하) | 26730 |
171 | 궁금합니다 [1] | 16178 |
» | DC Bias Vs Self bias [5] | 31565 |
169 | 핵융합과 핵폐기물에 대한 질문 | 16023 |
168 | AMS진단에 대하여 궁금합니다 | 19051 |
167 | Three body collision process | 20650 |
166 | 플라즈마에서 전자가 에너지를 어느 부분에서.. | 17763 |
165 | 스퍼터링에서 DC bias의 감소 원인이 궁금합니다.. | 24890 |
164 | RIE장비 에서 WALL 과 TOP 온도 | 20432 |
163 | 플라즈마의 정의 | 18043 |
162 | Ground에 대하여 | 39454 |
161 | 교재구입 | 20725 |
160 | DC 글로우 방전 원의 원리 좀 갈켜주세여.. | 134450 |
159 | 대기압플라즈마를 이용한 세정장치 | 21542 |
158 | 대기압 상태의 플라즈마 측정 | 19731 |