CCP CCP 방식에 Vdc 모니터링 궁금점.
2010.01.28 19:44
안녕하세요? 궁금한게 있어서 여쭤봅니다.
Source는 CCP방식입니다. 13.56MHz로 구동되고 matcher 단에서 low pass filter를 통해 나오는 Vdc 값을 모니터링합니다.
그런데 Source 전극에 anodizing처리를 했는데 품질이 좋지 못한 anodizing의 경우에는 Vdc 값이 "-"로 뜨는데 고품질 anodizing의 경우에는 "+"값을 띕니다.
고품질의 경우에는 CCP 소스면에서 완전히 floating되어서 그러는것 같은데
정확한 메카니즘을 이해할 수 없어서 문의드립니다.
왜 "+"값을 나타내는지에 대해 설명해 주실수 있는지요?
플라즈마 방전은 저품질이나 고품질 모두 이상없이 뜹니다.
댓글 0
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [218] | 75407 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 19148 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 56477 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 67534 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 89320 |
| » | CCP 방식에 Vdc 모니터링 궁금점. | 23156 |
| 207 |
전자파 누설에 관해서 질문드립니다.
[1]  | 21006 |
| 206 | N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [2] | 23546 |
| 205 | 질문이 몇가지 있읍니다. [1] | 19153 |
| 204 | 저온 플라즈마에서 이온, 전자, 중성자 온도의 비평형이 생기는 이유에 대해서... [1] | 21263 |
| 203 | H2/O2 플라즈마에 대해서 질문드립니다. 꼭 답변점... [1] | 24491 |
| 202 | dechucking시 Discharge 불량으로 Glass 깨짐 [3] | 25765 |
| 201 | 몇가지 질문있습니다 | 16557 |
| 200 | 플라즈마내의 전자 속도 [1] | 21730 |
| 199 | Plasma Gas의 차이점 [1] | 17759 |
| 198 | matching box에 관한 질문 [1] | 29529 |
| 197 | TMP에 대해 다시 질문 드립니다. | 17958 |
| 196 | 터보분자펌프에 대해서 질문 좀 하고 싶어요! | 19316 |
| 195 | [re] 터보분자펌프에 대해서 질문 좀 하고 싶어요! | 19396 |
| 194 | Dry Etcher 에 대한 교재 [1] | 22467 |
| 193 | 플라즈마 측정기 [1] | 21276 |
| 192 | Dry Etcher 내 reflect 현상 [2] | 22109 |
| 191 | Arcing [1] | 28137 |
| 190 | RF 플라즈마 챔버 내부에서 모션 구동 [1] | 24676 |
| 189 | 전자온도에 대하여 궁금한 사항이 있습니다. [1] | 18238 |