Chamber Impedance Reflrectance power가 너무 큽니다.

2010.06.01 23:24

최두호 조회 수:24006 추천:146

안녕하세요.
저는 미국 카네기멜론 대학 재료공학과 박사과정에 재학중인 최두호라고 합니다.

rf 스퍼터링 시스템이 랩에 있는 데, 예전에는 rf 스퍼터로 SiO2를 증착하였는 데(reflectance power는 거의 0), 언제부턴가 reflectance power가 너무 큽니다. (forward가 100W 이면, reflectnace power는 70 W 정도).

Advanced Energy 사의 controller를 쓰는 데요, 주로 오토모드로 사용을 합니다. 매뉴얼 모드로 하면 오히려 reflectance power가 더 올라가더라구요.

그래도 플라즈마 glowing은 유지가 되구요. (rf 자체로는 되지가 않고, 같은 chamer에 연결된 dc로 먼저 플라즈마를 만들고, rf를 켜고, dc를 끄면 plasma가 유지가 됩니다.)

그런데, dc bias가 너무 낮네요. 예전에 제대로 동작할 때는 fowrad bias가 100 W 일 때, dc bias가 -200 V  정도 되었는 데요, 현재는 -60~70V 밖에 되지 않습니다. 그래서 forward를 올리니까 dc bias도 커지더군요. (reflectance power도 올라갑니다)
이런 식으로 해서 forward를 증가시켜 dc bias를 증가시키는 방법으로 해도 장비나 케이블에 무리가 가지 않나요?

재료과라서 impednace에 대해 거의 모릅니다. 쉽게 설명해주시면 감사하겠습니다.

번호 제목 조회 수
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 48775
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 52793
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [1] 60674
216 UBM 스퍼터링 장비로... [1] 20534
» Reflrectance power가 너무 큽니다. [1] 24006
214 반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다. file 23370
213 플라즈마 챔버 의 임피던스 관련 [1] 25990
212 반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다. file 37497
211 광플라즈마(Photoplasma)라는 것이 있는가요? 20236
210 석영이 사용되는 이유? [1] 19231
209 surface wave plasma 에 대해서 [1] 18003
208 CCP 방식에 Vdc 모니터링 궁금점. 22751
207 전자파 누설에 관해서 질문드립니다. [1] file 20725
206 N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [2] 22868
205 질문이 몇가지 있읍니다. [1] 18944
204 저온 플라즈마에서 이온, 전자, 중성자 온도의 비평형이 생기는 이유에 대해서... [1] 20989
203 H2/O2 플라즈마에 대해서 질문드립니다. 꼭 답변점... [1] 23325
202 dechucking시 Discharge 불량으로 Glass 깨짐 [3] 24301
201 몇가지 질문있습니다 16433
200 플라즈마내의 전자 속도 [1] 21320
199 Plasma Gas의 차이점 [1] 16636
198 matching box에 관한 질문 [1] 27644
197 TMP에 대해 다시 질문 드립니다. 17765

Boards


XE Login