Etch wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상
2018.02.12 12:03
안녕하세요. 반도체 장비업체에서 근무하는 권보경입니다.
icp descum 장비에서 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상이 발생합니다.
Etch Rate이 감소하는 것은 있을 수 있는 일이지만 50% 이하로 나빠진 상태입니다.
어떤 변수들이 있을 수 있는지, 하드웨어 적으로는 어떤 점을 개선해야 하는지 궁금합니다.
또한 다른 site에 있는 동일 장비에서는 같은 조건에서 Er이 크게 떨어지지 않는데
source power의 차이로 인한 열전달효율이 크게 다르기 때문이라고 볼 수 있는지요.
맞다면 이에 해당하는 공식이 무엇인지 알고 싶습니다.
답변 해주시면 감사하겠습니다.
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [235] | 75772 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 19457 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 56674 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68038 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 90329 |
754 | SCCM 단위에 대하여 궁금합니다. | 143651 |
753 | DC 글로우 방전 원의 원리 좀 갈켜주세여.. | 134367 |
752 | RF 플라즈마와 Microwave 플라즈마의 차이 | 94839 |
751 | Plasma source type | 79114 |
750 | Silent Discharge | 64526 |
749 | VPP, VDC 어떤 FACTOR 인지 알고 싶습니다. [1] | 54298 |
748 | 안녕하세요. RF Matching에 관한 질문입니다. [1] | 47504 |
747 | 플라즈마내에서의 아킹 | 43618 |
746 |
반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다.
![]() | 41022 |
745 | 대기압 플라즈마 | 40456 |
744 | Ground에 대하여 | 38981 |
743 | RF frequency와 RF power 구분 | 38976 |
742 | Self Bias | 36318 |
741 | Ar plasma와 O2 plasma 차이??(Matching Network) | 35542 |
740 | ECR plasma 장비관련 질문입니다. [2] | 34823 |
739 | PEALD관련 질문 [1] | 32180 |
일반적으로 ER은 식각이온의 energy flux (= 입자속 x 에너지) 에 비례한다고 알려져 있습니다. 이 값은 입사 이온의 에너지, 즉 식각 이온의 쉬스 전위로 부터 얻은 에너지 (= 플라즈마 공간의 전위 - 시편 표면의 부유 전위 (일반적으로 self bias 값))이므로, 플라즈마 밀도 혹은 bias power에 따릅니다. 여기서 플라즈마 전위는 공간 내에 형성된 플라즈마의 온도 특성에 의해 지배를 받으니, 플라즈마 상태의 변화는 이 에너지 변화에도 영향을 주게 됩니다. 또한 입자속은 밀도 x 이온의 음속도의 값이므로, 플라즈마의 밀도에도 영향이 있습니다. 즉, ER의 감소는 생성되는 플라즈마의 밀도, 온도의 감소가 가져오는 현상이거나, 보다 민감하게는 self bias.의 전압이 작아진데서 기인하는 결과라 예상해 볼 수가 있겠습니다. self bias 값의 변화는 (self bias 내용을 계시판에서 찾아 보시고) 타킷의 cap 값이 적어져서 축적 전하의 양이 적어지는 경우가 있을 수 있겠고, 혹은 고에너지 전자의 수가 적어지는 플라즈마 가열에서의 원인이 예상될 수가 있겠습니다. 아마더 전자에 해당하는 cap 변화의 원인을 제거하는 방향이 우선되어야 할 것 같습니다. (대부분 반응기의 플라즈마 가열 메카니즘은 안테나 형상 변화 등이나 전력 주파수 변화 등의 요인 외에는 쉽게 변하지 않는 장치의 고유 특성이라 할 수 있기 때문입니다.)