안녕하십니까 플라즈마 입문단계를 공부하고 있는 전기공학과 학생입니다.

다름이 아니라 공부를 하는 중에 플라즈마 소스 부분에 직류 글로우 방전에서 r-process 부분에서 2차 방출이 일어나는데

여기서 이차전자가 이온화를 잘시키는 것으로 알고 있습니다. 하지만 이온은 그에 비해 잘 시키지 못한것 같습니다

정리하자면 플라즈마에서 이온은 전자에 비해 중성종을 이온화시키기 어려운 이유가 무엇일까요?

기본적인 내용인데 많이 부족해서 모르겠습니다.

부탁드립니다!! 감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] 76727
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20183
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57167
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68699
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92278
509 ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [2] 3646
508 진학으로 고민이 있습니다. [2] 1030
507 플라즈마 형성시 하전입자의 밀도와 챔버에 관련해서 질문드립니다. [2] 1226
506 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 2972
505 전자기장 및 유체 시뮬레이션 관련 [1] 541
504 ICP reflecot power 관련 질문드립니다. [1] 1600
503 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] 1934
502 Arcing(아킹) 현상 및 local plasma 관련 문의 [1] 11320
501 Ar과 O2 plasma source에 따른 ignition condition에 대하여 질문 있습니다. [1] 2315
500 공정플라즈마 [1] 1145
499 임피던스 매칭회로 [1] file 2804
498 전쉬스에 대한 간단한 질문 [1] 550
497 CCP기반 power와 Etch rate 관계에 대해 여쭈어드립니다. [3] 1688
496 glow 방전 현상과 플라즈마 현상에 궁금하여 글 남깁니다. [2] 1506
495 plasma sheath 두께의 영향에 대하여 질문드립니다. [2] 3382
494 대학원 진학 질문 있습니다. [2] 1157
493 질문있습니다. [1] 2571
492 chamber impedance [1] 2009
491 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 3273
» 플라즈마 관련 기초지식 [1] 2128

Boards


XE Login