안녕하세요 교수님~

현재 연구실에서 플라즈마 에칭 장비에 대해 공부하고 있는 학생입니다.

다름이 아니라 이제까지 소형 챔버에서 에칭 실험을 진행하다가 대형 챔버로 바꾸어 실험하면서 궁금한 점이 생겨 질문드립니다.

1. 같은 압력에서 (예: 10mTorr) 유량 (sccm)만 바꿔가며 실험하고 있는데 이것이 어떤 관계가 있는지 궁금합니다.

2. 소형챔버에서 발견한 유량을 대형챔버로 그대로 옮겨버리면 residence time이 확줄어서 더 많은 sccm을 넣어야한다는데 

   PV/유량 = residence time 이라는 식에서 바라본다면 V가 증가하여 오히려 증가하는거 아닌가 궁금합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [113] 4982
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 16331
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 51258
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 63784
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [2] 83590
520 Deposition 진행 중 matcher(shunt,series) 관계 질문 [3] 1912
519 ECR 플라즈마에 대해서 질문 드립니다. [1] 1165
518 Plasma Dechuck Process가 궁금합니다. 16933
517 HEATER 교체 이후 SELF BIAS 상승관련 문의 [1] 727
516 Vpp, Vdc 측정관련 문의 [1] 2479
515 간단한 질문 몇개드립니다. [1] 383
514 matcher에서 load,tune의 역할이 궁금합니다. [1] 3328
513 Si Wafer에 Plasma를 처리했을때 정전기 발생 [1] 467
512 Hollow Cathode glow Discharge 실험 관련해서 여쭤보고싶습니다. [1] file 454
511 에쳐장비HF/LF 그라운드 관련 [1] 16584
510 매쳐 출력값 검토 부탁 드립니다. [1] 613
509 ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [2] 2426
508 진학으로 고민이 있습니다. [2] 751
507 플라즈마 형성시 하전입자의 밀도와 챔버에 관련해서 질문드립니다. [2] 683
506 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 1630
505 전자기장 및 유체 시뮬레이션 관련 [1] 416
504 ICP reflecot power 관련 질문드립니다. [1] 1030
» 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] 1092
502 Arcing(아킹) 현상 및 local plasma 관련 문의 [1] 5947
501 Ar과 O2 plasma source에 따른 ignition condition에 대하여 질문 있습니다. [1] 1156

Boards


XE Login