안녕하세요?

저는 국내 PKG회사에 다니고 있는 공정 Eng'r입니다.

PKG공정에서 O2 Plasma 처리후 봉지재(Epoxy Mold Compound)를 밀봉하는 공정이 있는데

봉지재내의 Filler가 Si 계면과 분리되고 봉지재의 Resin만 Si 기판에 Molding이 되는 현상이 발생합니다.

Googling을 해 본 결과, Electrostatically charge된 Filler가 Plasma를 맞은 기판과 같은 Charge를 띄었을때 이 증상이 날 수 있다고 합니다.

Plasma별 대전된 극상(+인지, -인지)을 알 수 있을까요?

참고로 저희 회사에서는 O2, N2, Ar을 사용할 수 있습니다. 장비의 Parameter를 변경하여 극성을 바꿀 수 있는지도 문의드립니다.

번호 제목 조회 수
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 48523
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 49163
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [1] 54849
514 matcher에서 load,tune의 역할이 궁금합니다. [1] 452
» Si Wafer에 Plasma를 처리했을때 정전기 발생 [1] 181
512 Hollow Cathode glow Discharge 실험 관련해서 여쭤보고싶습니다. [1] file 155
511 에쳐장비HF/LF 그라운드 관련 [1] 2196
510 매쳐 출력값 검토 부탁 드립니다. [1] 232
509 ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [2] 333
508 진학으로 고민이 있습니다. [2] 357
507 플라즈마 형성시 하전입자의 밀도와 챔버에 관련해서 질문드립니다. [2] 312
506 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 444
505 전자기장 및 유체 시뮬레이션 관련 [1] 178
504 ICP reflecot power 관련 질문드립니다. [1] 335
503 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] 283
502 Arcing(아킹) 현상 및 local plasma 관련 문의 [1] 806
501 Ar과 O2 plasma source에 따른 ignition condition에 대하여 질문 있습니다. [1] 386
500 공정플라즈마 [1] 345
499 임피던스 매칭회로 [1] file 1074
498 전쉬스에 대한 간단한 질문 [1] 180
497 CCP기반 power와 Etch rate 관계에 대해 여쭈어드립니다. [3] 380
496 glow 방전 현상과 플라즈마 현상에 궁금하여 글 남깁니다. [2] 238
495 plasma sheath 두께의 영향에 대하여 질문드립니다. [2] 517

Boards


XE Login