ICP 안녕하세요. 교수님 ICP 관련하여 문의드립니다. [충돌 단면적 및 반응 계수]
2020.08.21 15:03
저는 광학박막 분야에서 sputter 장비를 이용하여 간섭필터를 코팅하고 있습니다.
sputter에 ICP를 같이 사용하여 기판에 증착된 Si와 반응가스를 결합시키는 용도로 사용하고 있습니다.
ICP코일 앞에 위치한 Quartz 표면에서 식각된 것 같은 모양새를 보여 원인분석에 있습니다.
질문1. ICP 쪽에 Self bias로 인해 Quartz가 식각되는 현상이 발생될 수 있는지 궁금합니다
질문2. Ar과 함께 들어가는 반응가스로 O2를 사용했을 때와 H2를 사용했을 때 ICP 쪽과 기판 쪽에서 어떤 현상들이 생기는지 궁금합니다
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [332] | 102650 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 24664 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 61366 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 73446 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 105756 |
| 829 | SCCM 단위에 대하여 궁금합니다. [Flow rate] | 148755 |
| 828 | DC 글로우 방전 원의 원리 좀 갈켜주세여.. | 134607 |
| 827 | RF 플라즈마와 Microwave 플라즈마의 차이 [해리와 세정 활성종] | 97689 |
| 826 | Plasma source type [CCP, ICP, TCP] | 80413 |
| 825 | Silent Discharge | 64650 |
| 824 | VPP,VDC 어떤 FACTOR인지 알고 싶습니다. [Vpp, Vdc와 플라즈마 발생 원리] [1] | 55957 |
| 823 | 안녕하세요. RF Matching에 관한 질문입니다. [Matching과 L-type] [1] | 48916 |
| 822 | 플라즈마내에서의 아킹 [Charge와 plasma potential] | 43939 |
| 821 |
반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다.
 | 41667 |
| 820 | 대기압 플라즈마 | 40940 |
| 819 | Ground에 대하여 | 40072 |
| 818 | RF frequency와 RF power 구분 | 39507 |
| 817 | Self Bias [Self bias와 플라즈마 특성 인자] | 36737 |
| 816 | Ar plasma와 O2 plasma 차이??(Matching Network) [Matching Q factor와 negative ion] | 36417 |
| 815 | ECR plasma 장비관련 질문입니다. [ECR과 enhanced process] [2] | 35305 |
| 814 | PEALD관련 질문 [Passivation 막 증착 과정] [1] | 33020 |
답변 1 : 발생합니다. 따라서 쿼츠 면 식각이 안테나 형태를 따라서 보다 심화되곤 합니다.
답변 2: 가스 종에 따른 플라즈마변화는 대부분 전력으로 보상하는 경향이 있습니다. 아울러 분자 종 플라즈마에서는 이온화 에너지, 해리-이온화 에너지 데이터를 찾아 보시면, 두 가스의 플라즈마 생성에 어떤 차이, 즉 필요 전력등을 이해할 수 있을 것입니다. 충돌 단면적 혹은 방응계수(rate constant) 데이터를 확보하시기를 추천드립니다.