교수님 안녕하세요, 플라즈마 관련 공부를 하고 있는 취업준비생입니다.

ICP 장비를 공부하다가 궁금한점이 생겨서 질문 올립니다.

1. ICP장비는 소스파워로 이온 밀도를 조절하고, 바이어스 파어로 이온 에너지를 조절한다고 하는데, 소스파워는 이해가 가는데

바이어스 파워로 이온 에너지를 조절한다는 메커니즘이 이해가 안갑니다. 블로킹 커패시터를 달아서 한다고 하는데, 이해가 안가네요..


2. capacitive coupling이라는 현상으로 인해 벽이 스퍼터 되는 문제점이 발생한다고 하는데, 이 벽이 스퍼터 된다는게

플라즈마가 균일하지 않게 된다는 말일까요?


3. 이 질문은 PE CVD 관련 질문인데요, PECVD를 진행할 때 전극 면적비를 같게 하는 이유가 라디칼을 이용한 증착 방법이기 때문에

   이온의 영향을 줄이기 위함이다. 이렇게 생각했는데, 제 생각의 논리가 맞을지 궁금합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [221] 75434
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 19169
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 56480
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 67564
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 89373
748 LXcat Dataset에 따른 Plasma discharge 에 대한 질문입니다. [1] 61
747 GWP(Global warming potential)에 따른 Etch gas 변화에 대한 질문 [1] 80
746 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 2 82
745 RIE Gas 질문 하나 드려도될까요? [1] 89
744 RF 스퍼터 관련 질문이 있습니다. [1] 90
743 RF Frequency 가변과 FORWARD POWER의 상관관계 [1] 103
742 화장품 원료의 플라즈마 처리 문의 [1] file 105
741 RF sputter 증착 문제 질문드립니다. [1] file 120
740 실리콘 수지 코팅 Tool에 Plasma 클리닝 시 코팅 제거 유/무 [1] 123
739 플라즈마 제균 탈취 가능 여부 [1] 124
738 corona model에 대한 질문입니다. [1] 127
737 RIE 설비 관련 질문 좀 드려도 될까요? [1] 129
736 PECVD 고온 공정에서 증착 막으로의 열전달 관련 문의드립니다. [1] 136
735 메틸기의 플라즈마 에칭 반응 메커니즘 [1] 138
734 플라즈마 전원 공급장치에 대한 질문 [1] 141
733 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 [1] 142
732 Compressive한 Wafer에 대한 질문 [1] 143
731 Plasma 표면개질에 대해 질문드립니다. [1] 145
730 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] 147
729 plasma off시 일어나는 현상 문의드립니다 [1] 149

Boards


XE Login