Plasma in general low pressure 영역에서 아킹이 더 쉽게 발생하는 이유에 관해 문의드립니댜.
2021.04.09 12:04
안녕하세요, 교수님. 반도체 업종 엔지니어로 일하고 있는 김기영입니다.
다름 아니라 보통 Pressure 영역대가 낮아질수록 아킹이 더 잘 발생한다고 하는데
왜 Low Pressure 영역이 High Pressure 영역보다 Arcing 이 취약한지 문의드립니다.
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [278] | 76881 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20276 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57199 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68754 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92707 |
794 | SCCM 단위에 대하여 궁금합니다. | 144637 |
793 | DC 글로우 방전 원의 원리 좀 갈켜주세여.. | 134453 |
792 | RF 플라즈마와 Microwave 플라즈마의 차이 | 95764 |
791 | Plasma source type | 79692 |
790 | Silent Discharge | 64560 |
789 | VPP, VDC 어떤 FACTOR 인지 알고 싶습니다. [1] | 54947 |
788 | 안녕하세요. RF Matching에 관한 질문입니다. [1] | 47899 |
787 | 플라즈마내에서의 아킹 | 43706 |
786 | 반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다. | 41271 |
785 | 대기압 플라즈마 | 40713 |
784 | Ground에 대하여 | 39477 |
783 | RF frequency와 RF power 구분 | 39087 |
782 | Self Bias | 36390 |
781 | Ar plasma와 O2 plasma 차이??(Matching Network) | 35960 |
780 | ECR plasma 장비관련 질문입니다. [2] | 34964 |
779 | PEALD관련 질문 [1] | 32646 |
아크 발생을 이해하기 위해서는 파션커브를 이해해 보시면 좋을 것 같습니다. 파괴전압-압력x길이(전극간의 거리 혹은 평균충돌 거리)로 pd 곡선이라고도 합니다. 본 게시판에서 글로우 방전, 파센곡선(커브) 으로 찾아 보시면 압력과 전기장과 재료 특성이 방전 개시에 미치는 영향이 있음을 이해하시는 데 도움이 클 것입니다. 아울러 챔버 내 기구 내에서 아크 및 벽면 분순물 근방 혹은 SH에서의 아크 등의 현상을 이해하시는데 도움이 됩니다.