안녕하세요. 얼마전 특정공정 진행 시 특정 step을 진행하는 경우에만 간헐적으로 60Mhz Ref 및 Bias Voltage 튐 현상 관련하여

질문글을 올렸던 엔지니어 입니다.

 

먼저 좋은 답변을 달아주셔서 정말 감사합니다.

 

우선 60Mhz 동축케이블 길이조절은 해당 장비사의 Part가 정해져있어서 길이조절을 통한 Test가 어려운 상황입니다

나중에 한번 내용 참고하여 Action item으로 제시해봐야겠네요.

 

외에 우선 FDC를 봤을때 Mathcer TAP(공정 Step 별 고정 TAP값 사용)은 특이사항이 없었습니다.

60Mhz Requency의 경우 정상진행한 Slot들 Data에비해 산포가 불량한 점은 있었습니다.

 

제가 생각한 가설은 우선 Plasma가 생성되게되면 일정한 Ground가 유지되어야 Plasma 및 Bias Power도 균일하게 유지가 가능할 것이라고

생각이 됐고 의심이 가는 부분은 TOP Electrode의 식각 상태입니다.

해당 part가 RF Time 경시에 따라 식가이되면 표면이 매끄러운 초기상태에 비하여 식각이 진행되 상당히 불균일한 표면을 가지게 되는데

이러한점이 Electron의 Ground에 영향을 줘서 임피던스가 변하는게 아닐까 추정이 되는데 

 

제가 생각하는 부분에서 그럴 가능성이 있는지 잘 모르겠습니다...

 

이 외에도 Confinement Ring의 좌우 Balance 불량으로 인한 Plasma Unconfine이 발생할 가능성도 염두에 두고 있습니다.

 

현상이 간헐적으로 발생하고 있어 Action한 사항들 중 정확한 원인을 찾기 어려우나 해당 문제가 해결될 경우 다시 한 번 글을 올리도록 하겠습니다.

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [271] 76792
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20229
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57178
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68723
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92480
791 새삼스럽지만 챔버 내에 전류의 정의를 여쭤보고싶습니다. 17
790 진공 챔버에서 Plasma Off시 Particle의 wafer 표면 충돌 속도 [1] 35
789 플라즈마 설비에 대한 질문 46
788 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] 57
787 Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] 63
786 RF magnetron Sputtering 공정에서의 질문 [1] 66
785 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] 67
784 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 76
783 RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] 81
782 반사파에 의한 micro arc 질문 [2] 95
781 Impedance I 값을 결정 짓는 요소 관련 질문 [1] 97
780 RF generator의 AMP 종류 질문입니다. [1] 108
779 Microwave & RF Plasma [1] 124
778 챔버 내 전자&이온의 에너지 손실에 대해 [1] 126
777 sputtering 을 이용한 film depostion [1] 126
776 CF4/Ar 을 활용한 Si/SiO2 에칭에 관한 질문입니다. [1] file 134
775 DBD 플라즈마 작동 시 유전체에 가해지는 데미지 [1] 138
774 ICP에서 전자의 가속 [1] 147
773 LXcat Dataset에 따른 Plasma discharge 에 대한 질문입니다. [1] 151
772 skin depth에 대한 이해 [1] 152

Boards


XE Login