안녕하세요. 반도체 관련 엔지니어로 근무하고 있는 직장인입니다.

 

현재 공정이 완료된 텅스텐 재료에 대기압 플라즈마를 가하여 정전기 제거를 하고있습니다.

 

Ar gas를 이용하였으며 정전기 측정장비로 제거 되는 것 까지는 확인 되었습니다.

 

추가로 여쭤보고 싶은 부분이 정전기 제거 후에도 반영구적으로 정전기가 발생하지 않는 것도 확인이 되는데요.

 

이 부분에 대해서는 관련 자료를 찾아보아도 나오는 부분이 거의 없어서요.

 

O, N 라디칼들이 계면에서 어떠한 에너지 반응을 일으키는 건지. 텅스텐 표면에 어떤 결합에너지에 영향을 주는 것인지 궁금하네요.

 

플라즈마를 통하여 정전기 방지가 유지되는 것이 어떠한 Process로 진행될 수 있는지 궁금합니다.

 

고견 여쭙겠습니다. 감사합니다. 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [54] 1194
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 943
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 49375
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 59476
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [1] 74180
617 anode sheath 질문드립니다. [1] 199
616 안녕하세요. Plasma etch rate에 관하여 질문이 있습니다. [1] 266
» 플라즈마를 통한 정전기 제거관련. [1] 180
614 RF 케이블 발열 현상관련 문의 드립니다. [1] 301
613 CVD (CCP) 공정의 Chamber seasoning과 플라즈마 밀도 [1] 379
612 라디컬의 재결합 방지 [1] 203
611 LF Power에의한 Ion Bombardment [1] 386
610 PECVD와 RIE의 경계에 대해 [1] 416
609 전자 온도 구하기 [1] file 312
608 공정 진행 중 의도적인 섭동 효과에 대해서 질문 드립니다. [1] 107
607 CVD 공정에서의 self bias [1] 447
606 PP & PET 친수성과 접착성 유지 질문입니다. [1] 1932
605 잔류시간 Residence Time에 대해 [1] 166
604 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 답변 정말 감사합니다! 1336
603 ESC Polymer cracking 제거를 위한 ISD 공정 문의 161
602 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 어떤 이유들이 있을까요..? [2] 290
601 CCP에서 접지된 전극에 기판을 놓았을 때 반응 [1] 220
600 Edge ring과 플라즈마 밀도 균일성 [1] 332
599 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 375
598 매칭시 Shunt와 Series 값 [1] 332

Boards


XE Login