안녕하십니까, 항상 검색을 통해 다양한 정보를 얻을 수 있어 감사히 생각하고 있습니다.

 

ICP Etcher에서 Al (상하부 Ti) 식각할 때 Cl2+BCl3 베이스로 식각한 뒤

 

부산물인 AlCl3 또는 Cl 이온이 잔류한 상태로 대기에 노출되면 부식의 원인이 되기도 하고, 당장 부식이 생기지 않더라도 전기적 구동 평가시에 부식 또는 신뢰성 불량으로 이어질 수 있는 것으로 알고 있습니다.

 

따라서 저는 CF4, O2 플라즈마로 약 30~60초간 후처리하여 AlCl3를 AlF3로 치환하는 방식으로 이를 제어하고 있습니다.

 

1. 이처럼 잔류 이온을 컨트롤할 수 있는 또 다른 방법에는 어떤 것들이 있는지 궁금합니다.

(찾아보니 N2, H2O 플라즈마도 효과가 있다는데 N2는 어떤 원리인지 잘 모르겠네요.)

각종 연구실이나 기업 등에서는 어떤 방식으로 잔류 이온 제어(부식 방지)를 하고 있는지? 과거/최근 적용 사례나 연구 동향 등이 궁금합니다.

또는 새롭게 평가해볼만한 아이디어도 고민 중에 있습니다.

 

2. 단순히 최상부막 Metal에 남는 AlCl3 뿐만 아니라 하부막에 박히는 Cl 이온도 악영향이 있겠죠?

 

3. CF4 처리를 하더라도 AlF3나 하부막 F이온도 정도가 덜할 뿐 비슷한 side effect이 생길 것 같습니다. 애초에 잔류 Cl 이온을 줄이거나 완전히 제거할 수 있는 방법이 있을까요..?

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [85] 2299
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 12785
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 49614
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 61091
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [2] 78562
659 N2 / N2O Gas 사용시 Plamsa 차이점 35
658 플라즈마 세정처리한 PCB, Lead Frame 재활용 방법 18
657 etch defect 관련 질문드립니다 72
656 Co-relation between RF Forward power and Vpp [2] 59
655 RF Antena와 Matcher 間 상관관계 문의드립니다. [2] 116
654 연속 Plasma시 예상되는 문제와 횟수를 제한할 경우의 판단 기준 [1] file 87
653 RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [1] 168
652 Matcher 구성에 따른 챔버 임피던스 영향에 대해 문의드립니다. [2] 293
651 플라즈마 세정 장비 (CCP구조)에서 자재 로딩 수에 따른 플라즈마 효과 및 Discolor [1] file 167
650 doping type에 따른 ER 차이 [1] 155
649 ICP Dry Etch 진행시 정전기 발생에 관한 질문입니다. [1] 202
648 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [1] 150
647 MFP와 Sheath 관련하여 추가 질문 드립니다. [1] 202
646 Tungsten 표면 Contamination 제거(실명재등록) [1] 498
645 plasma 형성 관계 [1] 307
644 RF matcher와 particle 관계 [2] 406
643 Bias 관련 질문 드립니다. [1] 1824
642 Sheath 길이와 전자의 온도 및 MFP간의 관계에 대해 질문 드립니다. [1] 3714
» Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [1] 238
640 식각 가스 사용 챔버의 잔류 flourine cleaning 혹은 conditioning 방법 질문 [1] 446

Boards


XE Login