Deposition SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문
2022.02.17 17:53
안녕하세요.
CVD 공정 엔지니어로 근무 중인데, 전공과 무관한 업무를 하다보니 막히는 경우가 많은데 교수님께 많은 도움을 받고 있습니다. 감사합니다.
다름이 아니라 SiO2 박막 Depo 후, F 입자를 이용하여 Clean을 진행하는데 박막 밀도가 높을 수록 Clean의 효율이 감소하는 결과를 확인했습니다.
제가 추정하는 이유는 두 가지 인데, 제가 추정하는 이유가 맞는지 교수님의 전문적인 견해가 궁금하여 글을 작성합니다..
1) 막질 밀도가 낮을 수록 막질이 phorous하여 빈 공간으로 Radical이 침투하기 용이하여 반응성 증가
2) 막질 밀도가 낮을 수록 같은 두께의 박막 내 SiO2 분자수가 적기 때문에 제거해야 할 SiO2 분자수가 적어 Clean 효율 증가
항상 감사합니다.
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [273] | 76809 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20240 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57186 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68736 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92569 |
790 | SCCM 단위에 대하여 궁금합니다. | 144549 |
789 | DC 글로우 방전 원의 원리 좀 갈켜주세여.. | 134449 |
788 | RF 플라즈마와 Microwave 플라즈마의 차이 | 95700 |
787 | Plasma source type | 79666 |
786 | Silent Discharge | 64558 |
785 | VPP, VDC 어떤 FACTOR 인지 알고 싶습니다. [1] | 54922 |
784 | 안녕하세요. RF Matching에 관한 질문입니다. [1] | 47853 |
783 | 플라즈마내에서의 아킹 | 43705 |
782 | 반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다. | 41255 |
781 | 대기압 플라즈마 | 40710 |
780 | Ground에 대하여 | 39444 |
779 | RF frequency와 RF power 구분 | 39073 |
778 | Self Bias | 36387 |
777 | Ar plasma와 O2 plasma 차이??(Matching Network) | 35933 |
776 | ECR plasma 장비관련 질문입니다. [2] | 34961 |
775 | PEALD관련 질문 [1] | 32620 |