안녕하세요. CVD 기술팀에서 일하는 반도체 엔지니어입니다. CLEANING간 RPS에서 나오는 PLASMA 실제적 거동과 deposition에서의 플라스마 거동 관련 질문인데요, 전공은 기계쪽이라 다소 개념은 생소합니다.

 지금 이 플라스마는 실제적으로 이온보다는 RADICAL이 CLEANING에 주요한 역할을 한다는 점이 있지만 중성화과정에서 이온, 전자등이 줄어든다고 하더라도 아무래도 exitation된 원자라면 다시 해리(전자방출 등)가 되는 일부 반응이 있을것이라고 생각을 합니다. 재해리를 일단 가정한다면 , RPS에서 나온 CLEAN GAS의 ELECTRON TEMPERATURE가 대략 2000K라고 하여 ELECTRON VOLTAGE로 변환하면 0.17eV정도가 되는것으로 환산을 해줬습니다. 혹시 반복된 결합과 재해리가 가능하다면 혹시 그 원자핵쪽의 높은 운동량을 electron이 가져와 더 고온의 electron temperature를 가지는 electron이 나올 수가 있을까요? 가능하다면 어느정도까지가 가능할까요? 

 아니면 deposition 간에 RF가 걸리는 구간중에 SHOWER HEAD-HEATER 사이가 아닌 그 상부 유로 공간 대략 구경 25mm 정도 되는 공간의 벽면이 aluminum으로 만들어져 있는데 이곳에서 plasma 반응이 일어나서 electron이 만들어진다면 혹시 rps쪽보다도 훨씬 더 높은 eV를 갖는 electron이 만들어질까요? 높은 electron volatage를 가진 electron을 찾으려는건 높은 electron voltage를 가진 electron beam을 쐈을때 제가 생각하는 반응의 과정을 일으킨다는 논문을 발견했는데, 결국 이 반응이 일어나는 electron이 실제 어디에서 더 있을법한지는 알기가 어려워서입니다. 이 둘 중(정리하면 clean recipe진행간에 발생할수 있는 electron과 depo recipe간에 발생할수 있는 electron) 어느 recipe에서 더 높은 electron temperature의 electron이 만들어지는지를 질문드려봅니다.

 참고로 제가 생각하는 반응에 대해서 필요한 eV는 threshold voltage라는 값이 주어져 있는데 대략 3.x eV고 논문들에서는 electron beam을 대략 4eV이상으로 쐈을때 반응 test를 진행하면서 반응이 가능했음을 확인했던 부분이 있습니다. 3eV를 전자온도로 환산하는 과정을 인터넷도움으로 하면 대략 35,000K라서 지금 논문상 RPS CLEAN이 2000K라는것과는 많이 차이가 있었습니다. 과연 이렇게 보는것이 맞는것인지 궁금합니다.

 미리 답변에 대해서 교수님 혹은 연구자들에게 감사의 말씀 드립니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [266] 76649
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20146
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57146
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68668
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92120
747 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 [1] 729
746 RF Frequency 가변과 FORWARD POWER의 상관관계 [2] 711
» 안녕하세요, RPS나 DEPOSITION간에 발생하는 ELECTRON TEMPERATURE가 궁금합니다. [1] 367
744 RIE Gas 질문 하나 드려도될까요? [1] 313
743 RIE 설비 관련 질문 좀 드려도 될까요? [1] 289
742 안녕하세요. 자문을 구할 수 있을지 궁금합니다. [1] file 499
741 CURRENT PATH로 인한 아킹 [1] file 387
740 플라즈마 전원 공급장치에 대한 질문 [1] 471
739 주파수 증가시 플라즈마 밀도 증가 [1] 670
738 remote plasma 를 이용한 SiO2 etching 질문드립니다. [1] 474
737 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] 407
736 RF sputter 증착 문제 질문드립니다. [1] file 309
735 plasma off시 일어나는 현상 문의드립니다 [1] 339
734 Arcing 과 Self-DC Bias Voltage 상관 관계 [1] 549
733 RF 스퍼터 관련 질문이 있습니다. [1] 248
732 반사파와 유,무효전력 관련 질문 [2] 344
731 GWP(Global warming potential)에 따른 Etch gas 변화에 대한 질문 [1] 212
730 N2 GAS를 이용한 Plasma에 대한 질문 [1] 593
729 Plasma 표면개질에 대해 질문드립니다. [1] 489
728 PECVD 고온 공정에서 증착 막으로의 열전달 관련 문의드립니다. [1] 322

Boards


XE Login