ICP ICP에서 전자의 가속

2024.02.29 14:09

김준서 조회 수:126

안녕하세요, 전자공학과 2학년 학부생입니다.

쉬스에 대해 공부를 하던 중, CCP에서는 Cathode 부근에서 쉬스가 형성되고, sheath potential을 극복한 전자가 해당 쉬스로 들어와 음전압 강하로 인해 가속되는 것이 주된 메커니즘이라고 이해했습니다.

ICP에서도 벽면에 쉬스가 형성되겠지만, 이는 전자가 가속되기엔 충분치 않으므로 RF Coil에 의한 전기장에 의해 가속되는 것이 주된 메커니즘이라고 생각해도 될까요? 

 

추가로, CCP & ICP 에서 챔버 내 반경에 따른 플라즈마의 밀도의 차이를 알고 싶은데 어떤 식으로 접근해야 할 지 궁금합니다.

 

감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [266] 76697
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20153
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57159
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68681
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92220
787 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] 50
786 Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] 55
785 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] 61
784 Impedance I 값을 결정 짓는 요소 관련 질문 [1] 66
783 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 67
782 반사파에 의한 micro arc 질문 [2] 70
781 RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] 79
780 CF4/Ar 을 활용한 Si/SiO2 에칭에 관한 질문입니다. [1] file 90
779 RF generator의 AMP 종류 질문입니다. [1] 97
778 ICP에서의 Self bias 효과 [1] 97
777 sputtering 을 이용한 film depostion [1] 103
776 Microwave & RF Plasma [1] 105
775 skin depth에 대한 이해 [1] 107
774 챔버 내 전자&이온의 에너지 손실에 대해 [1] 119
» ICP에서 전자의 가속 [1] 126
772 DBD 플라즈마 작동 시 유전체에 가해지는 데미지 [1] 136
771 파장길이와 동축 케이블 길이 관련 문의드립니다 [2] 140
770 Non-maxwellian 전자 분포의 원인 140
769 LXcat Dataset에 따른 Plasma discharge 에 대한 질문입니다. [1] 146
768 CCP장비 discharge 전압 및 전류 측정 방법 과 matcher 문제 관하여 [2] file 150

Boards


XE Login