ICP ICP Dry Etch 진행시 정전기 발생에 관한 질문입니다.
2022.02.17 17:59
현재 제조업 개발 엔지니어로 근무중인데 Dry Etch에 관한 이론적인 접근이 필요한것 같아서 질문드립니다.
현재 공정중 정전기에관한이슈가 커서 완화 방안에 대한 검토를 하고있습니다.
무기막(Sio2, SiNx) Etch를 진행하고있고, Gas는 CF4/O2 약 1:1비율로 사용하고있습니다.
1. Source , Bia Power 하향
→ Plasma 생성 및 전위차가 낮아져 정전기 발생 적어짐 기대(But Etch Time이 길어짐)
2. CF4 유량비 상향
→ O2가 Rich하면 정전기가 많이 발생한다고하는데 메커니즘을 잘 모르겠습니다
(But CF4 상향시 이방성 Etch증가로 Taper 안좋아짐)
3. 압력에 대한영향성?
→ 이부분에 대해서는 영향성이 있는지 문의드립니다 상향을 하면 개선이 될수도있다고는 하는데..
4. 제전 Step추가? Etch 중간에 제전을 넣으면 효과가 있을는지 궁금합니다.
이론적으로 많이 부족합니다. 많은 도움 주시면 감사하겠습니다.
감사합니다.
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대부분의 정전기 문제는 플라즈마에서 발생한 전자들의 하전에 의해서 발생하는 경우가 많을 것 같습니다.
이 가정이라면
1. bias 전력을 줄이면 하전량이 줄을 수 있고, 국부 전기장의 크기가 줄어들어 효과가 있을 수 있을 것 같습니다. 하지만 국부적인 형상 또는 byproduct 가 쌓여 생기거나 구조적으로 모서리 효과가 만들어 지지 않도록 세정 등을 주기적으로 수행하는 방법이 효율적일 것 같습니다.
2. 식각 가스는 음이온을 형성함으로 전자 수를 줄이는 효과가 있습니다만, 부식으로 인해 표면 거칠기가 증가하고 byproduct 를 만드는 결과는 상호 보상의 문제를 만듭니다. 만일 장비가 노화되었다면 최적 공정을 찾기가 수월하지 않을 수 있습니다.
3. 압력이 높으면 전자 발생이 줄어들 수 있습니다만, 보다 가스 종류에 의한 영향이 더 중요해 보입니다.
4. 제전을 잘 할 수 있다면 당연히 효과가 있겠습니다.