Process Ta deposition시 DC Source Sputtreing
2022.11.19 05:11
안녕하세요
현재 반도체관련 회사에 재직중입니다.
다름아니라 Ta material을 Deposition하는데 PVD에서는 DC Soruce sputtering을 이용해서 사용하는데
RF source sputtering을 하게되면 어떤 단점이 있고 장점이 있을까요?
아님 Ta material에 대한 제한이 있는것 일까요?
댓글 0
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] | 76726 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20176 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57166 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68697 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92275 |
| 789 |
플라즈마 설비에 대한 질문
 | 0 |
| 788 | RF magnetron Sputtering 공정에서의 질문 [1] | 31 |
| 787 | Non-maxwellian 전자 분포의 원인 [1] | 160 |
| 786 | skin depth에 대한 이해 [1] | 122 |
| 785 | Impedance I 값을 결정 짓는 요소 관련 질문 [1] | 76 |
| 784 | 반사파에 의한 micro arc 질문 [2] | 84 |
| 783 | ICP에서의 Self bias 효과 [1] | 119 |
| 782 |
CF4/Ar 을 활용한 Si/SiO2 에칭에 관한 질문입니다.
[1]  | 105 |
| 781 | sputtering 을 이용한 film depostion [1] | 111 |
| 780 | Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] | 56 |
| 779 | 플라즈마 밀도와 라디칼 [1] | 202 |
| 778 | Microwave & RF Plasma [1] | 110 |
| 777 | 플라즈마 식각 시 notching 현상 관련 [1] | 175 |
| 776 | ICP에서 전자의 가속 [1] | 134 |
| 775 | 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] | 52 |
| 774 | Edge ring의 역할 및 원리 질문 [1] | 210 |
| 773 | 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] | 61 |
| 772 | RF generator의 AMP 종류 질문입니다. [1] | 100 |
| 771 |
CCP장비 discharge 전압 및 전류 측정 방법 과 matcher 문제 관하여
[2] | 158 |
| 770 | 파장길이와 동축 케이블 길이 관련 문의드립니다 [2] | 146 |