CCP CCP RIE 플라즈마 밀도
2023.01.16 22:20
안녕하세요 반도체산업으로 취업을 준비하는 학부생입니다.
학과 연구실에서 소자 제작 중 이방성 식각을 위해 RIE 장비를 사용하여 식각을 진행했습니다.
연구실 RIE 사용기술서를 보면 식각하고자 하는 샘플 외에도 패턴이 없는 샘플들을 추가로 주변에 같이
로딩하여 진행하게 되어있는데 정확한 이유를 잘모르겠습니다.
석사 선배들한테 질문한결과 샘플 모서리 부분에서 전계가 낮아지는 효과로 인해 식각률이 안쪽과 바깥쪽이 달라지는 이유
때문이라고 답을 들었지만 확신이 서지 않아 전문적인 지식을 갖추신 교수님께 정확한 확답을 듣고자 질문하게 되었습니다.
또한 챔버 안쪽과 바깥쪽에서의 식각률이 다르다는것은 플라즈마 밀도 부분에서 차이가 있어서 그런것인지 여쭤보도 싶고
ccp 설비에서 식각 균일도를 확보할 수 있는 해결 방안 역시 궁금합니다!
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [160] | 73076 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 17641 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 55521 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 65729 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 86104 |
| 707 | E-field plasma simulation correlating with film growth profile [1] | 18 |
| 706 | Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유 [1] | 51 |
| 705 | OES를 통한 공정 개선 사례가 있는지 궁금합니다. [1] | 57 |
| 704 | self bias [1] | 128 |
| 703 | Self bias 내용 질문입니다. [1] | 90 |
| 702 | 정전척의 chucking voltage 범위가 궁금합니다. [1] | 108 |
| 701 | 챔버 시즈닝에 대한 플라즈마의 영향성 [1] | 125 |
| 700 | PECVD Cleaning에서 Ar Gas의 역활 [1] | 141 |
| 699 | 텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량 [1] | 122 |
| 698 | ICP lower power 와 RF bias [1] | 436 |
| » | CCP RIE 플라즈마 밀도 [1] | 225 |
| 696 | 실리콘 수지 코팅 Tool에 Plasma 클리닝 시 코팅 제거 유/무 [1] | 67 |
| 695 | RF 전압인가 시 LF와 HF 에서의 Sheath 비교 [1] | 299 |
| 694 | 기판표면 번개모양 불량발생 [1] | 211 |
| 693 |
진공수준에 따른 RF plasma 영향 관련 질문
[1]  | 296 |
| 692 | OLED에서 SF6와 CF4를 사용하는 이유를 알고 싶습니다. [1] | 17310 |
| 691 | plasma modeling 관련 질문 [1] | 239 |
| 690 | 플라즈마 진단 OES 관련 질문 [1] | 374 |
| 689 | O2 플라즈마 사용에 대한 질문을 드립니다. | 484 |
| 688 | 플라즈마 주파수 예측관련 질문드립니다 [1] | 843 |
플라즈마 공부를 해 보시면 Glabal model 의 주제를 다루는 부분이 있습니다. 본 게시판에서도 여러번 다뤘으니 일단 global model 을 공부해 보세요. 또한 플라즈마는 이온화된 가스 상태로서 쉽게 확산하는 특성이 있습니다. 플라즈마 확산으로 공간 상에 밀도 분포 (일단 온도 분포는크게 고려하지 않아도 좋습니다)가 형성되고, 표면 공정은 분포된 플라즈마가 가지는 쉬스 에너지 분포 및 이온에너지 속의 분포에 따라서 공정 분포가 발생합니다. 따라서 플라즈마 분포 현상의 이해는 중요하게 됩니다. 이를 이해하면 리시피를 좀 더 빠르게 찾을 수 있을 것 같습니다.