안녕하세요 학부과정 진행중인 황준성입니다.

RIE장비로 SiO2 웨이퍼를 식각하려고 하는데 이때 발생하는 가스형태의 공정부산물을 측정하려고 하는데 사전에 주입가스를 통해서 발생할 수 있는 가스를 계산하여 예측할 수 있는 방법이 있을까요?

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [235] 75778
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 19464
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 56676
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68054
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 90353
174 플라즈마내에서의 아킹 43618
173 ECR plasma 장비관련 질문입니다. [2] 34825
172 PEALD관련 질문 [1] 32181
171 RF Plasma(PECVD) 관련 질문드립니다. 31442
170 DC Bias Vs Self bias [5] 31324
169 RF에 대하여... 30804
168 [re] H2/O2 혼합 플라즈마에 관련 질문에 대한 답변 드립니다. file 29766
167 PECVD에서 플라즈마 damage가 발생 조건 29574
166 [Sputter Forward,Reflect Power] [1] 29021
165 OLED에서 SF6와 CF4를 사용하는 이유를 알고 싶습니다. [1] 27863
164 스퍼터링에서 DC bias의 감소 원인이 궁금합니다.. 24740
163 H2/O2 플라즈마에 대해서 질문드립니다. 꼭 답변점... [1] 24558
162 Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 24054
161 N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [2] 23611
160 Arcing 23585
159 Dry Etch장비에서 Vdc와 Etch rate관계 [1] 22624
158 Dry Etcher 에 대한 교재 [1] 22483
157 플라즈마 코팅에 관하여 22040
156 펄스바이어스 스퍼터링 답변 21877
155 스퍼터링시 시편두께와 박막두께 [1] 21462

Boards


XE Login