Deposition PECVD Uniformity
2023.11.07 09:14
PECVD를 이용하여 SiO2를 증착할경우 중심부가 더 증착이 많이되거나 Uniformity가 좋지 않은 것으로 알고있습니다.
이를 해결하기위한 방한이 생각보다 잘 나오지 않아서 이렇게 질문드립니다.
제 생각에는
1. 전극과 기판사이의 거리를 멀게하여 wafer상의 plasma 균일도 높이기
2. N2와 같은 비활성 기체를 함께 주입하여 precursor를 희석 및 분산시켜 uniformity 높이기
3. 그냥 장착한 뒤, over etch진행하기하기
이러한 방법은 가능한 방법들일까요??
다른 방법엔 어떤것들이 있는지 알려주시면 정말 감사하겠습니다
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [276] | 76858 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20263 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57195 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68747 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92611 |
183 | 플라즈마내에서의 아킹 | 43705 |
182 | ECR plasma 장비관련 질문입니다. [2] | 34964 |
181 | PEALD관련 질문 [1] | 32626 |
180 | RF에 대하여... | 32033 |
179 | RF Plasma(PECVD) 관련 질문드립니다. | 31681 |
178 | DC Bias Vs Self bias [5] | 31565 |
177 | [re] H2/O2 혼합 플라즈마에 관련 질문에 대한 답변 드립니다. | 30040 |
176 | PECVD에서 플라즈마 damage가 발생 조건 | 29759 |
175 | [Sputter Forward,Reflect Power] [1] | 29273 |
174 | OLED에서 SF6와 CF4를 사용하는 이유를 알고 싶습니다. [1] | 28953 |
173 | 스퍼터링에서 DC bias의 감소 원인이 궁금합니다.. | 24890 |
172 | H2/O2 플라즈마에 대해서 질문드립니다. 꼭 답변점... [1] | 24665 |
171 | Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 | 24182 |
170 | Arcing | 23838 |
169 | N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [2] | 23770 |
168 | Dry Etch장비에서 Vdc와 Etch rate관계 [1] | 22777 |
167 | Dry Etcher 에 대한 교재 [1] | 22550 |
166 | 질문있습니다 교수님 [1] | 22156 |
165 | 플라즈마 코팅에 관하여 | 22095 |
164 | 펄스바이어스 스퍼터링 답변 | 21948 |