Deposition 질문있습니다 교수님
2020.05.06 15:46
안녕하세요. 이제 막 반도체 수업을 듣기시작한 학생입니다. 한 질문에 궁금증이 생겨 질문 남기게 되었습니다.
4인치 웨이퍼 기준 100nm 두께로 구리 등 금속 박막을 대량으로 하려면 어떻게 해야될까 인 부분이었습니다.
이때 제 생각으로는 CVD공정이 가장 적합한것이 아닌가? 라고 생각하면서도 각 공정마다 장단점이 있어 헷갈립니다.
PVD의 경우 증착속도가 느리고, ALD의 경우 낮은생산 성 등..
어떠한 공정이 가장 적합한 공정이 될 수 있는지 궁금합니다 감사합니다
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [278] | 76881 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20276 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57199 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68754 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92707 |
184 | 공정 DATA TARGET 간 난제가 있어 문의드립니다. [1] | 1 |
183 | 플라즈마 식각 커스핑 식각량 | 32 |
182 | Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] | 71 |
181 | 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] | 73 |
180 | sputtering 을 이용한 film depostion [1] | 141 |
179 | FTIR분석을 이용한 SiO2성막 해석 | 186 |
178 | 화장품 원료의 플라즈마 처리 문의 [1] | 189 |
177 | AP plasma 공정 관련 문의 [1] | 207 |
176 | 플라즈마 식각 시 notching 현상 관련 [1] | 208 |
175 | Cu migration 방지를 위한 스터디 [1] | 220 |
174 | Compressive한 Wafer에 대한 질문 [1] | 236 |
173 | GWP(Global warming potential)에 따른 Etch gas 변화에 대한 질문 [1] | 255 |
172 | Etch Plasma 관련 문의 건.. [1] | 260 |
171 | gas에 따른 deposition rate 및 저항질문 있습니다 [1] | 269 |
170 | 메틸기의 플라즈마 에칭 반응 메커니즘 [1] | 284 |
169 | RIE 설비 관련 질문 좀 드려도 될까요? [1] | 300 |
168 | RIE Gas 질문 하나 드려도될까요? [1] | 324 |
167 | RIE 식각공정중 발생하는 가스를 예측할 수 있는 메카니즘에 대해 질문하고싶습니다. [1] | 363 |
166 | 텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량 [1] | 371 |
165 | 애칭 후 부산물의 양을 알고 싶습니다. [1] | 399 |
박막 관련해서는 군산대학교 주정훈교수님께 문의드려 보세요. 속시원한 답을 구할 수 있을 것입니다.