Sputtering sputtering 을 이용한 film depostion

2024.03.16 00:57

babo 조회 수:169

안녕하세요

 

제 질문은 플라즈마와는 크게 관련이 없지만..  마땅한 곳이 없어서 부득이하게 질문 드리게 되었습니다.

 

저는 TFT 소자를 제작하려고 하는 석사과정생입니다. 

 

방법은 p-Si/sio2(100nm) 기판 위에 sputtering으로 channel 전면 증착 후 metal (shadow mask) electrode 형성 입니다.

 

저의 경우 사정상 타 연구실의 RF sputtering 장비를 빌려서 채널증착을 하는데요,

 

아무래도 전면증착을 해서 그런지 채널 형성만 하고 vertical로 IV를 찍어보면 current가 흐르게 나오고 있습니다.

(leakage 수준이 아닌 linear하게 쭉쭉 흐르는 전류입니다)

 

소자크기는 1.5cm x 1.5cm 입니다.

소자의 edge 부분에 채널물질이 증착되어 conduction path를 형성하였다고 생각하여 증착 후 소자의 사면을 다 잘라내고 측정을 해봐도

같은 결과가 나와서 조금 답답한 상황입니다.

 

타 논문들을 보면 이러한 방식으로 간단하게 TFT 구조를 만들고 있는데 혹시 제가 놓치고 있는 부분이 있을까요?

RF sputting으로 채널증착을 전면으로 하고나면 보통 etch를 하는지, 혹은 전면으로 증착하면 원래 안되고 shadow mask를 두고 rf sputtering을 통해 증착하는지 궁금합니다.

 

아 제가 채널 물질로 사용하고 있는 타겟은 IGZO 입니다.

 

(측정기나 다른 부분에서의 문제는 없을 것으로 예상됩니다, isolation을 한 소자는 잘 찍히는데 제가 사정상 포토를 하기가 매우 힘든상황입니다)

 

읽어주셔서 감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [282] 77206
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20464
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57360
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68900
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92945
184 플라즈마 식각 커스핑 식각량 60
183 공정 DATA TARGET 간 난제가 있어 문의드립니다. [1] 82
182 Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] 86
181 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] 87
» sputtering 을 이용한 film depostion [1] 169
179 화장품 원료의 플라즈마 처리 문의 [1] file 197
178 FTIR분석을 이용한 SiO2성막 해석 205
177 AP plasma 공정 관련 문의 [1] 218
176 플라즈마 식각 시 notching 현상 관련 [1] 231
175 Compressive한 Wafer에 대한 질문 [1] 248
174 Cu migration 방지를 위한 스터디 [1] 251
173 GWP(Global warming potential)에 따른 Etch gas 변화에 대한 질문 [1] 264
172 gas에 따른 deposition rate 및 저항질문 있습니다 [1] 281
171 Etch Plasma 관련 문의 건.. [1] 291
170 메틸기의 플라즈마 에칭 반응 메커니즘 [1] 302
169 RIE 설비 관련 질문 좀 드려도 될까요? [1] 312
168 RIE Gas 질문 하나 드려도될까요? [1] 344
167 텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량 [1] 379
166 RIE 식각공정중 발생하는 가스를 예측할 수 있는 메카니즘에 대해 질문하고싶습니다. [1] 381
165 타겟 임피던스 값과 균일도 문제 [1] 407

Boards


XE Login