Deposition 질문있습니다 교수님
2020.05.06 15:46
안녕하세요. 이제 막 반도체 수업을 듣기시작한 학생입니다. 한 질문에 궁금증이 생겨 질문 남기게 되었습니다.
4인치 웨이퍼 기준 100nm 두께로 구리 등 금속 박막을 대량으로 하려면 어떻게 해야될까 인 부분이었습니다.
이때 제 생각으로는 CVD공정이 가장 적합한것이 아닌가? 라고 생각하면서도 각 공정마다 장단점이 있어 헷갈립니다.
PVD의 경우 증착속도가 느리고, ALD의 경우 낮은생산 성 등..
어떠한 공정이 가장 적합한 공정이 될 수 있는지 궁금합니다 감사합니다
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [269] | 76736 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20206 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57168 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68702 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92280 |
789 | 플라즈마 설비에 대한 질문 | 22 |
788 | RF magnetron Sputtering 공정에서의 질문 [1] | 38 |
787 | Non-maxwellian 전자 분포의 원인 [1] | 165 |
786 | skin depth에 대한 이해 [1] | 129 |
785 | Impedance I 값을 결정 짓는 요소 관련 질문 [1] | 82 |
784 | 반사파에 의한 micro arc 질문 [2] | 86 |
783 | ICP에서의 Self bias 효과 [1] | 134 |
782 | CF4/Ar 을 활용한 Si/SiO2 에칭에 관한 질문입니다. [1] | 115 |
781 | sputtering 을 이용한 film depostion [1] | 113 |
780 | Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] | 59 |
779 | 플라즈마 밀도와 라디칼 [1] | 211 |
778 | Microwave & RF Plasma [1] | 115 |
777 | 플라즈마 식각 시 notching 현상 관련 [1] | 181 |
776 | ICP에서 전자의 가속 [1] | 138 |
775 | 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] | 53 |
774 | Edge ring의 역할 및 원리 질문 [1] | 215 |
773 | 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] | 64 |
772 | RF generator의 AMP 종류 질문입니다. [1] | 101 |
771 | CCP장비 discharge 전압 및 전류 측정 방법 과 matcher 문제 관하여 [2] | 159 |
770 | 파장길이와 동축 케이블 길이 관련 문의드립니다 [2] | 151 |
박막 관련해서는 군산대학교 주정훈교수님께 문의드려 보세요. 속시원한 답을 구할 수 있을 것입니다.