안녕하세요. CVD 기술팀에서 일하는 반도체 엔지니어입니다. CLEANING간 RPS에서 나오는 PLASMA 실제적 거동과 deposition에서의 플라스마 거동 관련 질문인데요, 전공은 기계쪽이라 다소 개념은 생소합니다.

 지금 이 플라스마는 실제적으로 이온보다는 RADICAL이 CLEANING에 주요한 역할을 한다는 점이 있지만 중성화과정에서 이온, 전자등이 줄어든다고 하더라도 아무래도 exitation된 원자라면 다시 해리(전자방출 등)가 되는 일부 반응이 있을것이라고 생각을 합니다. 재해리를 일단 가정한다면 , RPS에서 나온 CLEAN GAS의 ELECTRON TEMPERATURE가 대략 2000K라고 하여 ELECTRON VOLTAGE로 변환하면 0.17eV정도가 되는것으로 환산을 해줬습니다. 혹시 반복된 결합과 재해리가 가능하다면 혹시 그 원자핵쪽의 높은 운동량을 electron이 가져와 더 고온의 electron temperature를 가지는 electron이 나올 수가 있을까요? 가능하다면 어느정도까지가 가능할까요? 

 아니면 deposition 간에 RF가 걸리는 구간중에 SHOWER HEAD-HEATER 사이가 아닌 그 상부 유로 공간 대략 구경 25mm 정도 되는 공간의 벽면이 aluminum으로 만들어져 있는데 이곳에서 plasma 반응이 일어나서 electron이 만들어진다면 혹시 rps쪽보다도 훨씬 더 높은 eV를 갖는 electron이 만들어질까요? 높은 electron volatage를 가진 electron을 찾으려는건 높은 electron voltage를 가진 electron beam을 쐈을때 제가 생각하는 반응의 과정을 일으킨다는 논문을 발견했는데, 결국 이 반응이 일어나는 electron이 실제 어디에서 더 있을법한지는 알기가 어려워서입니다. 이 둘 중(정리하면 clean recipe진행간에 발생할수 있는 electron과 depo recipe간에 발생할수 있는 electron) 어느 recipe에서 더 높은 electron temperature의 electron이 만들어지는지를 질문드려봅니다.

 참고로 제가 생각하는 반응에 대해서 필요한 eV는 threshold voltage라는 값이 주어져 있는데 대략 3.x eV고 논문들에서는 electron beam을 대략 4eV이상으로 쐈을때 반응 test를 진행하면서 반응이 가능했음을 확인했던 부분이 있습니다. 3eV를 전자온도로 환산하는 과정을 인터넷도움으로 하면 대략 35,000K라서 지금 논문상 RPS CLEAN이 2000K라는것과는 많이 차이가 있었습니다. 과연 이렇게 보는것이 맞는것인지 궁금합니다.

 미리 답변에 대해서 교수님 혹은 연구자들에게 감사의 말씀 드립니다.