공지 |
[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
[303]
| 78039 |
공지 |
Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
| 20849 |
공지 |
개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
| 57737 |
공지 |
kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
| 69253 |
공지 |
질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
[3]
| 93635 |
192 |
HF PLASMA DEPOSITION 시 POWER에 따른 DEP RATE 변화
[1] | 12 |
191 |
ExB drift 식 유도 과정에서의 질문 [삼각함수의 위상각]
[1] | 45 |
190 |
RF sputtering reflect power에 대해서 질문 남깁니다.
| 48 |
189 |
Dielectric Etcher(CCP)에서 사용하는 주파수
[2] | 53 |
188 |
가스 조성 및 온도에 따른 식각률 관련 질문입니다. [Arrhenius equation 이해]
[1] | 58 |
187 |
플라즈마 식각 커스핑 식각량
| 77 |
186 |
Debey Length에 대해 문의 드립니다. [플라즈마 정의와 Deybe length]
[1] | 85 |
185 |
자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [부착물의 흡착 관리]
[1] | 106 |
184 |
Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [Base pressure 이해]
[1] | 113 |
183 |
Wafer Capacitance 성분과 Vdc 관계 문의드립니다. [Sheath 크기 및 전위 분포]
[1] | 137 |
182 |
공정 DATA TARGET 간 난제가 있어 문의드립니다. [Sheath uniformity 이해]
[1] | 148 |
181 |
Sputtering을 이용한 film deposition [진공 및 오염입자의 최소화]
[1] | 213 |
180 |
화장품 원료의 플라즈마 처리 문의
[1] | 215 |
179 |
FTIR분석을 이용한 SiO2성막 해석
| 231 |
178 |
AP plasma 공정 관련 문의 [OES 활용 장비 플라즈마 데이터 분석]
[1] | 232 |
177 |
Compressive한 Wafer에 대한 질문
[1] | 268 |
176 |
플라즈마 식각 시 notching 현상 관련 [Ar, O2 플라즈마 생성 특성]
[1] | 276 |
175 |
GWP(Global warming potential)에 따른 Etch gas 변화에 대한 질문
[1] | 279 |
174 |
Cu migration 방지를 위한 스터디 [전자재료]
[1] | 280 |
173 |
gas에 따른 deposition rate 및 저항질문 있습니다 [박막 문제]
[1] | 317 |