안녕하세요

디스플레이 업계에서 OLED 및 Organic 담당 연구중인 직장인입니다.

물질 증착 전후로 Plasma를 활용한 표면 처리를 하게되는 경우가 있어, 몇가지 질문드립니다.

 

Ar/O2 Plasma

큰 에너지를 가진 무거운 이온이 대상의 표면에 충돌해 Sputtering 효과로 미세 마모를 일으켜 오염 물질 제거와 증발이 발생되고

plasma로 이온화된 산소들이 표면 물질과 반응해 세정 효과를 나타낸다

 

위와 같이 알고 있는데, Ar/O2 Plasma를 유기물이나 무기물 혼합물에 적용시킬 경우에

현재는 물질에 Plasma 공정을 적용시킨 Device를 만들어 전기적 특성으로 확인하고 있는데,

Plasma로 인해 물질의 기존 특성이 파괴되는건지, 표면만 세정되어 개질이 일어나 특성이 바뀌는지

원리 분석이 필요해보여 이를 어떤 방법으로 알아봐야하는지 알려주시면 감사하겠습니다. 

 

그리고, O2 Ashing 처리도 표면개질을 위해 진행하는 경우가 있는데,

O2 Ashing과 Ar/O2 Plasma는 장비에 따라 VUV(Vacuum-UV) 발생으로 Organic bonds(유기 결합) 분해를 일으킨다

이외에 어떤 차이가 있나요?

 

마지막으로 Plasma와는 별개인데,

UV-O3 treatment 방식으로 표면개질을 진행할 경우에는 물리적 충돌을 제외한 UV로 인해

발생된 O3로 유기 결합 분해만 일어난다고 이해하면 될까요?

 

부족한 지식으로 질문이 다소 난해해 죄송합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [332] 102675
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24671
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61379
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73452
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105775
194 플라즈마 식각 커스핑 식각량 226
193 ExB drift 식 유도 과정에서의 질문 [삼각함수의 위상각] [1] 338
192 RF sputtering reflect power에 대해서 질문 남깁니다. 365
191 Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [Base pressure 이해] [1] 405
190 화장품 원료의 플라즈마 처리 문의 [환경 플라즈마] [1] file 411
189 Wafer Capacitance 성분과 Vdc 관계 문의드립니다. [Sheath 크기 및 전위 분포] [1] 431
188 AP plasma 공정 관련 문의 [OES 활용 장비 플라즈마 데이터 분석] [1] 432
187 HF PLASMA DEPOSITION 시 POWER에 따른 DEP RATE 변화 [장비 플라즈마, Rate constant] [1] 447
186 Compressive한 Wafer에 대한 질문 [박막] [1] 458
185 Debey Length에 대해 문의 드립니다. [플라즈마 정의와 Deybe length] [1] 459
184 FTIR분석을 이용한 SiO2성막 해석 475
183 ICP 장비 TCP Reflect 발생 간 조언 부탁드립니다. [1] 476
182 가스 조성 및 온도에 따른 식각률 관련 질문입니다. [Arrhenius equation 이해] [1] 483
181 Sputtering을 이용한 film deposition [진공 및 오염입자의 최소화] [1] 533
180 III-V 반도체 에칭 공정 문의 [1] 551
179 gas에 따른 deposition rate 및 저항질문 있습니다 [박막 문제] [1] 560
178 Wafer 영역별 E/R 차이에 대한 질문 [Gas flow system vs E/R] [1] 565
177 RIE 설비 관련 질문 좀 드려도 될까요? [RF matcher noise] [1] 584
176 타겟 임피던스 값과 균일도 문제 [플라즈마 확산] [1] 589
175 Cu migration 방지를 위한 스터디 [전자재료] [1] 590

Boards


XE Login