안녕하세요.

 

반도체 완성품 업체 재직 중인 설비엔지니어입니다.

저희가 현재 좌우 비대칭과 관련된 DATA를 TARGET하기 위하여 설비 HW적 가변요소를 추가하여 Targeting 중입니다.

HW 적 가변요소로는 Ring kit 중 1요소를 Lift pin으로 들어올려 sheatch의 모양을 RF TIME 초반과 일정하게 유지하여

edge Tillting 제어를 하고 있습니다.

 

다만 현재 RING을 LIFT하는 시점에 유독 RF TIME 초반시점에만 particle이 쏟아지고 있습니다.

Ring KIT의 성분으로는 SIC, Quartz 재질이며 Lift가 되는 Ring의 경우에는 Quartz ring을 직접제어하고 있습니다.

 

현재 가장 의심하고 있는 부분은 SIC Ring 에서 Particle이 기인되고 있다고 가장 의심하고 있습니다.

실제로 Particle 성분분석 시에도 SI, O, F 계열이 검출되고 있는데, 해당 부분을 해소할 수 있는 방안이 어떤점이 있을까요?

이론적 OR 실험적으로든 비슷한 난제를 극복한 사례가 있으실까요?

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [298] 77485
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20577
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57506
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69024
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 93138
189 RF sputtering reflect power에 대해서 질문 남깁니다. new 1
188 ExB drift 식 유도 과정에서의 질문 [1] 7
187 Debey Length에 대해 문의 드립니다. [1] 51
186 플라즈마 식각 커스핑 식각량 74
185 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] 98
184 Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] 100
183 Wafer Capacitance 성분과 Vdc 관계 문의드립니다. [1] 110
» 공정 DATA TARGET 간 난제가 있어 문의드립니다. [1] 131
181 sputtering 을 이용한 film depostion [1] 202
180 화장품 원료의 플라즈마 처리 문의 [1] file 207
179 AP plasma 공정 관련 문의 [1] 224
178 FTIR분석을 이용한 SiO2성막 해석 225
177 플라즈마 식각 시 notching 현상 관련 [1] 255
176 Compressive한 Wafer에 대한 질문 [1] 260
175 Cu migration 방지를 위한 스터디 [1] 269
174 GWP(Global warming potential)에 따른 Etch gas 변화에 대한 질문 [1] 274
173 gas에 따른 deposition rate 및 저항질문 있습니다 [1] 305
172 Etch Plasma 관련 문의 건.. [1] 311
171 메틸기의 플라즈마 에칭 반응 메커니즘 [1] 324
170 RIE 설비 관련 질문 좀 드려도 될까요? [1] 331

Boards


XE Login