CCP 반사파에 의한 micro arc 질문
2024.03.30 12:47
안녕하세요 교수님
CCP type의 PECVD 공정을 맡고 있는 직장인입니다.
매번 교수님의 설명으로 큰 도움 받고 있습니다, 대단히 감사드립니다.
이번에는 reflect power에 의한 arc 관련 질문 드립니다.
우선 현상은 이렇습니다. HF 가 turn on 되고나서 수 m sec 동안 matcher 가 즉각적으로 대응하지 못하여, 인가되는 power가 전부 반사되는 상황입니다. Power는 1000W 수준이고 수 m sec 이후에는 reflect를 정상적으로 제압해 나갑니다.
Reflect가 발생하는 수 m sec동안 micro arc 가능성이 있다는 얘길 들었습니다. Arc 의 조건에 해당 상황이 부합하지 않는데, 어떤 원리로 arc가 발생할 가능성이 있을까요?
늘 감사드립니다.
댓글 2
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [271] | 76776 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20224 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57178 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68721 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92388 |
791 | 새삼스럽지만 챔버 내에 전류의 정의를 여쭤보고싶습니다. | 4 |
790 | 진공 챔버에서 Plasma Off시 Particle의 wafer 표면 충돌 속도 [1] | 23 |
789 | 플라즈마 설비에 대한 질문 | 41 |
788 | 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] | 56 |
787 | Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] | 61 |
786 | RF magnetron Sputtering 공정에서의 질문 [1] | 61 |
785 | 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] | 67 |
784 | 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 | 74 |
783 | RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] | 80 |
» | 반사파에 의한 micro arc 질문 [2] | 93 |
781 | Impedance I 값을 결정 짓는 요소 관련 질문 [1] | 94 |
780 | RF generator의 AMP 종류 질문입니다. [1] | 105 |
779 | Microwave & RF Plasma [1] | 124 |
778 | sputtering 을 이용한 film depostion [1] | 124 |
777 | 챔버 내 전자&이온의 에너지 손실에 대해 [1] | 125 |
776 | CF4/Ar 을 활용한 Si/SiO2 에칭에 관한 질문입니다. [1] | 129 |
775 | DBD 플라즈마 작동 시 유전체에 가해지는 데미지 [1] | 137 |
774 | ICP에서 전자의 가속 [1] | 144 |
773 | skin depth에 대한 이해 [1] | 144 |
772 | ICP에서의 Self bias 효과 [1] | 145 |