안녕하세요. 

수제의 건 관련하여 막질 전문가님께 질문드립니다.

SiO2 공정 조건에 따른 막질을 해석하려고 하는데요.

그 방법 중 하나로 FTIR 측정을 이용한 분석입니다.

통상 SiO2는 SiO Symmetric와 Asymmetric 2개의 Peak 중첩되서 나오는데요.

질문입니다.

Symmetric이 강한 결합이고, Asymmetric이 약한 결합이라고 하는데...

FTIR X축은 cm-1(카이저)로 E=hv로 계산하면 결국 에너지입니다.

Symmetric은 약 1030cm-1이고, Asymmetric은 1170cm-1이니, Asymmetric이 좀 더 강한막이고, 이 Peak의 가오시안 분포 면적이 많으면 좋은 막 아닌가요?

아니면, 다른 각도로 해석하면 Asymmetric 비대칭구조는 흔히 극성분자라고 해서 양전하와 음전하가 균형을 이루지 않고 한쪽에 치우쳐 존재하는 상태를 말하죠.

즉, 다시말해서 Symmetric은 무극성 대칭구조이고, 양전하 음전하가 균형을 이루고 있고, 이는 다른 분자와의 상호작용이 극성 분자에 비해 낮기때문에 상대적으로

비대칭구조분자 보다는 안정적이다. 이렇개 해석을 해도 되는지요.

좀 헷갈리네요. 

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [303] 78037
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20847
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57737
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69253
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 93631
819 ICP/CCP 플라즈마 식각 공정 개발 [1] update 5
818 HF PLASMA DEPOSITION 시 POWER에 따른 DEP RATE 변화 [1] update 11
817 인가전압과 ESC의 관계 질문 [1] 33
816 ExB drift 식 유도 과정에서의 질문 [삼각함수의 위상각] [1] 45
815 RF sputtering reflect power에 대해서 질문 남깁니다. 48
814 C2H2 플라즈마코팅시 가스 원인과 대책 51
813 Dielectric Etcher(CCP)에서 사용하는 주파수 [2] 53
812 가스 조성 및 온도에 따른 식각률 관련 질문입니다. [Arrhenius equation 이해] [1] 58
811 Surface wave plasma 조건에 관해 질문드립니다. [표면파의 전파] [1] 61
810 플라즈마 식각 커스핑 식각량 77
809 ICP에서 biasing 질문 [RF sheath와 self bias] [1] 80
808 Ion 입사각을 확인하는 방법 문의드립니다 [식각 플라즈마의 가장자리 균일도 제어] [1] 83
807 Debey Length에 대해 문의 드립니다. [플라즈마 정의와 Deybe length] [1] 84
806 Druyvesteyn Distribution 87
805 스터퍼링시 기판 온도 계산에 대해 질문드립니다! [열전달 방정식 이해] [1] 91
804 micro arc에 대해 질문드립니다. [DC glow 방전과 breakdown 전기장] [1] 91
803 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [유전체 상태 모니터링] [1] 92
802 DBD 방전 방식의 저온 플라즈마 관련해서 3가지 질문 드립니다. [DBD 방전과 DC breakdown] [1] 93
801 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 105
800 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [부착물의 흡착 관리] [1] 106

Boards


XE Login