이전 질문글에 댓글이 달리지 않아 새로 글을 작성하게 되었습니다.

 

이전 질문 글의 어디가 틀렸고 어디가 맞았는지 꼼꼼하게 짚어주셔서 정말 감사드립니다.
답변해 주신 글을 읽다 보니 더 질문점이 생겨서 댓글 작성합니다.

 

 

1) 비충돌성 쉬스와 충돌성 쉬스를 구분하는 기준은 무엇인가요? 

 

- MFP(Lamda)와 CCP 반응기 두 극판 사이의 거리(l) 비교 : Lamda << l
- MFP(Lamda)와 쉬스 두께 비교 : Lamda << Sheath Thickness

 

 

 

2) 이전 질문글의 답변에 Ar의 MFP를 0.01~0.005 mm 라고 답변해 주셨는데 어떻게 계산 된건지 궁금합니다.


MFP(Lamda)를 구하는 공식을 다음과 같이 알고 있습니다.

 

Lamda = 1 / (N_g * Sigma)
N_g = (n * N_A) / V = P * N_A / (R * T)

 

N_g : 단위 부피 당 원자 수
Sigma : Ar의 Cross section
n : 몰 수
N_A : 아보가드로 수
V : 부피
P : 압력 = 2000 mTorr
R : 기체상수 = 62.363 m^3*mTorr/(K*mol)
T : 온도 = 673 K

 

위 값들을 대입하여

 

N_g = 2.87*10^22 m^-3

 

이 나왔습니다.

 

2T 및 5T의 공정에서 Vrms는 113ev 수준으로 비슷했고 따라서

 

http://plasma.kisti.re.kr/index.jsp 에서 Ar의 Total Ionization Cross section, Total Scattering Cross section 중 에너지가 110ev 즈음의 산란 단면적을 찾아봤습니다.

 

Ionization 2.5*10^-16 cm^2 = 2.5*10^-20 m^2
Scattering 8*10^-16 cm^2 = 8*10^-20 m^2
Excitation 0.7*10^-16 cm^2 = 0.7*10^-20 m^2

 

위 산란 단면적을 모두 합하여 Sigma 값을 구했고 이 값을 아래 식에 대입하니

 

Lamda = 1 / (N_g * Sigma) = 0.00031 m = 0.31 mm

 

0.31 mm이 나오게 됩니다.

 

이전 질문 글에서 Vrms의 정량적인 값이 제시되지 않아 산란 단면적이 최대가 되는 값을 대입하셨나 싶어

전자 에너지 15ev의 산란 단면적을 모두 더하여 계산하니 2Torr 기준 0.145 mm 였습니다.

상기 계산 중 어느 부분에 오류가 있는건가요?

 

항상 큰 도움 주셔서 감사드립니다!

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [332] 102900
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24689
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61429
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73480
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105841
35 Self Bias [Self bias와 플라즈마 특성 인자] 36740
34 sheath와 debye sheilding에 관하여 [전자와 이온의 흐름] 28423
33 self bias (rf 전압 강하) 27097
32 self Bias voltage [Self bias와 mobility] 24404
31 플라즈마 쉬스 [Sheath와 self bias] 24248
30 plasma and sheath, 플라즈마 크기 24188
29 floating substrate 에서 sheath 형성 과정 의문점 [Ambipolar diffusion, Floating potential] [2] 23102
28 CCP에서 Area effect(면적)? [Self bias와 sheath capacitance] 21667
27 RF plasma에 대해서 질문드립니다. [Sheath model, Ion current density] [2] 21366
26 이온주입량에 대한 문의 20907
25 self bias [Capacitor와 mobility] [1] 19803
24 ICP에 대하여 [DC glow 방전과 ICP 플라즈마 발생] 18326
23 [기초]CCP Type에서의 Self-Bias(-Vdc)+Vp(plasma potential)관련 질문입니다. [플라즈마 전위와 쉬스] [1] 13157
22 DC bias (Self bias) ["Glow discharge processes"] [3] 11959
21 Ion Energy와 RF matchin관련 질문입니다. [Self bias와 matcher] [1] 9797
20 RF & DC sputtering에 대해 질문드립니다. [RF& DC bias와 matcher의 접지] [1] 9471
19 Sheath와 Darkspace에 대한 질문입니다. [쉬스와 Bulk Plasma 영역] [1] 9201
18 Sheath 길이와 전자의 온도 및 MFP간의 관계에 대해 질문 드립니다. [자유행정거리, Child law sheath] [1] 5459
17 plasma sheath 두께의 영향에 대하여 질문드립니다. [Child-Langmuir sheath model] [2] 4425
16 CVD 공정에서의 self bias [이차 전자 생성, 입사 이온 에너지 분포] [1] 3947

Boards


XE Login