Monitoring Method Plasma 발생영역에 관한 질문
2018.10.16 16:20
Etch stop control 장치인 EPD ( End Point Detector)를 공부하고있는 최상봉입니다.
플라즈마가 형성되는 영역과 Sheath 영역으로 구분되는데, Sheath영역에는 전자만 존재한다고 들었습니다.
플라즈마 영역에서의 레디칼과 바이 Product을 OES로 모니터한다는데
질문1] Sheath 영역에서는 Etch 상태를 어떻게 모니터링 할 수 있을까요?
질문2] 온도측정 시 Sheath 영역과 플라즈마 영역의 온도가 다른가요?
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [271] | 76749 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20217 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57169 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68707 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92306 |
590 | 3-body recombination 관련 문의드립니다. [2] | 962 |
589 | RF tune position 과 Vrms의 관계가 궁금합니다 [1] | 968 |
588 | Tungsten 표면 Contamination 제거(실명재등록) [1] | 974 |
587 | CCP에서 접지된 전극에 기판을 놓았을 때 반응 [1] | 975 |
586 | Sticking coefficient 관련 질문입니다. [1] | 983 |
585 | anode sheath 질문드립니다. [1] | 984 |
584 | CCP Plasma 해석 관련 문의 [1] | 1000 |
583 | 아래 382 번 질문에 대한 추가 질문 드립니다. [1] | 1001 |
582 | 고진공 만드는방법. [1] | 1008 |
581 | RF Antena와 Matcher 間 상관관계 문의드립니다. [1] | 1008 |
580 | 전자 온도에 대한 질문이 있습니다. [1] | 1011 |
579 | langmuir probe관련하여 질문드리고 싶습니다. [1] | 1016 |
578 | Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유 [1] | 1016 |
577 | DC Magnetron Sputter 플라즈마 진단 [1] | 1022 |
576 | Plasma 에서 Coupled (결합) 의 의미 [1] | 1030 |
575 | 진학으로 고민이 있습니다. [2] | 1031 |
574 | 플라즈마 코팅 [1] | 1036 |
573 | DC Plasma 전자 방출 메커니즘 | 1038 |
572 | 리모트 플라스마 소스 AK 부품 수출 관련 질문 입니다 반도체 장비 부풉ㅁ | 1045 |
571 | Decoupled Plasma 관련 질문입니다. [1] | 1050 |
먼저 sheath 의 형성 과정을 이해하면 대부분 해결이 될 것입니다. 쉬스에 대해서는 본 게시판에서 상세하게 여러번 다뤘으니 참고하십시오. 아울러 모티터링에 대해서는 정의가 필요합니다. 아울러 monitoring 과 diagnostics 의 차이를 생각해 보시고, 모두 진단으로 해석이 가능해서 혼선이 있을 수 있으나, 진단계 (장치)와 진단대상의 물성이 잘 결합되어야 해석이 용이합니다. 따라서 플라즈마 쉬스를 잘 이해하는 것이 모니터링의 첫 단추를 끼우는 일이 되겠습니다. 그 후에 다음 문제를 고려해야 풀릴 것 같습니다. 현재 저희는 여러가지 방법으로 쉬스 특성을 모니터링하고는 있습니다만, 아직 현장에 투입한 경험은 없군요. 이 분야를 플라즈마 공정진단 이라 합니다.