안녕하세요, 교수님. 반도체 업종 엔지니어로 일하고 있는 김기영입니다.

 

다름 아니라 보통 Pressure 영역대가 낮아질수록 아킹이 더 잘 발생한다고 하는데

 

왜 Low Pressure 영역이 High Pressure 영역보다 Arcing 이 취약한지 문의드립니다.

 

 

 

 

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [299] 77531
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20607
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57543
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69048
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 93208
613 RF 케이블 발열 현상관련 문의 드립니다. 1496
612 CVD (CCP) 공정의 Chamber seasoning과 플라즈마 밀도 [1] 2079
611 라디컬의 재결합 방지 [1] 845
610 LF Power에의한 Ion Bombardment [2] 2210
609 PECVD와 RIE의 경계에 대해 [1] 1561
608 전자 온도 구하기 [1] file 1213
607 공정 진행 중 의도적인 섭동 효과에 대해서 질문 드립니다. [1] 332
606 CVD 공정에서의 self bias [1] 3293
605 PP & PET 친수성과 접착성 유지 질문입니다. [1] 3355
604 잔류시간 Residence Time에 대해 [1] 1204
603 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 답변 정말 감사합니다! 1881
602 ESC Polymer cracking 제거를 위한 ISD 공정 문의 1486
601 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 어떤 이유들이 있을까요..? [2] 1141
600 CCP에서 접지된 전극에 기판을 놓았을 때 반응 [1] 1038
599 Edge ring과 플라즈마 밀도 균일성 [1] 1851
598 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 2985
597 매칭시 Shunt와 Series 값 [1] 1982
596 RF Power와 균일도 연관성 질문드립니다. [2] 3531
595 구 대칭으로 편광된 전자기파를 조사할 때에 대한 질문입니다. [1] file 234

Boards


XE Login