안녕하세요. 플라즈마 관련 실험을 하고 있는 학생입니다.

ICP 시스템에서 전자밀도 크기에 대해 질문드리고자 합니다.

 

Ar, N2, O2 가스환경에서 ICP 시스템을 통해 플라즈마를 발생시키고, electron density (plasma density)를 측정하였습니다.

동일한 실험조건을 기준으로 (RF power 조건 포함), 

electron density는 Ar > O2 > N2 순임을 실험적으로 확인하였습니다. 

여기서 저는 왜 electron density가 상기와 같은 순서로 발생되는 것인지 궁금하였습니다.

 

첫번째로, Ar 은 10^12 cm-3 정도이나, O2, N2는 10^11 cm-3 정도로 측정되었습니다.

제가 사용한 공정가스는 원자형태의 가스(Ar)와 분자형태의 가스(O2, N2) 입니다.

분자형태의 가스에서는 가속된 전자가 분자사이의 결합을 끊는 dissociation 반응이 발생하고, 이에 따라 energy loss가 발생하여 

실제 플라즈마 반응에 들어가는 에너지는 원자형태의 가스에서보다 작아져 electron density가 낮아지는 것으로 이해하면 될지요?

 

두번째로, O2 에서 electron density는 N2 보다 높게 측정되었습니다.

이는 bonding energy 가 N2(941 kJ/mol)가 O2(495 kJ/mol) 보다 높고, 이온화에너지 또한 N2가 O2 보다 높아

동일한 조건에서 플라즈마를 발생시키더라도 n2 에서 energy loss 가 많이 발생하여 electron density 가 낮아지게 되는 것인지요?

 

 

 

 

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [269] 76738
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20206
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57168
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68702
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92286
589 RF tune position 과 Vrms의 관계가 궁금합니다 [1] 968
588 CCP에서 접지된 전극에 기판을 놓았을 때 반응 [1] 973
587 Tungsten 표면 Contamination 제거(실명재등록) [1] 974
586 Sticking coefficient 관련 질문입니다. [1] 980
585 anode sheath 질문드립니다. [1] 984
584 CCP Plasma 해석 관련 문의 [1] file 998
583 아래 382 번 질문에 대한 추가 질문 드립니다. [1] 1001
582 고진공 만드는방법. [1] 1008
581 RF Antena와 Matcher 間 상관관계 문의드립니다. [1] 1008
580 전자 온도에 대한 질문이 있습니다. [1] 1011
579 Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유 [1] 1013
578 langmuir probe관련하여 질문드리고 싶습니다. [1] file 1016
577 DC Magnetron Sputter 플라즈마 진단 [1] 1022
576 Plasma 에서 Coupled (결합) 의 의미 [1] 1029
575 진학으로 고민이 있습니다. [2] 1030
574 플라즈마 코팅 [1] 1036
573 DC Plasma 전자 방출 메커니즘 1038
572 리모트 플라스마 소스 AK 부품 수출 관련 질문 입니다 반도체 장비 부풉ㅁ 1045
571 Decoupled Plasma 관련 질문입니다. [1] 1050
570 Plasma Arching [1] 1051

Boards


XE Login