안녕하십니까.

산소양이온이 금속전극을 충돌하면, 산소양이온은 무엇으로 변하는지 궁금합니다.

 

1) 금속표면바로아래의 전자가 터널링에 의하여 나와서 산소양이온과 결합 하여 산소분자로 환원이 되는지?

  - 산소분자로 환원이 된다면, metastable 상태를 거쳐서 산소분자가 되는지..

2) 전자과 결합하는 과정에서 산소원자들이 생성이 되는지?

 

자료를 찾을 수가 없어서 문의드립니다.

 

오늘도 좋은 하루 되세요. 감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [332] 102900
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24689
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61429
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73480
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105841
612 CVD (CCP) 공정의 Chamber seasoning과 플라즈마 밀도 [Plasma information variable model] [1] 2621
611 라디컬의 재결합 방지 [해리 반응상수] [1] 1110
610 LF Power에의한 Ion Bombardment [플라즈마 장비 물리] [2] 2797
609 PECVD와 RIE의 경계에 대해 [DC bias 형성 판단] [1] 2069
608 전자 온도 구하기 [쉬스 전압, 스퍼터링 효과] [1] file 1634
607 공정 진행 중 의도적인 섭동 효과에 대해서 질문 드립니다. [Rise rate] [1] 521
606 CVD 공정에서의 self bias [이차 전자 생성, 입사 이온 에너지 분포] [1] 3947
605 PP & PET 친수성과 접착성 유지 질문입니다. [소수/친수성 조절 연구] [1] 3584
604 잔류시간 Residence Time에 대해 [표면 유속 정보, 유체해석 코드] [1] 1671
603 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 답변 정말 감사합니다! 2066
602 ESC Polymer cracking 제거를 위한 ISD 공정 문의 1776
601 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 어떤 이유들이 있을까요..? [Chamber impedance] [2] 1461
600 CCP에서 접지된 전극에 기판을 놓았을 때 반응 [Self bias] [1] 1418
599 Edge ring과 플라즈마 밀도 균일성 [플라즈마 생성 분포와 sheath 전기장] [1] 2405
598 Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련 [Sheath 전위 형성] [3] 3839
597 매칭시 Shunt와 Series 값 [RF 전원 전력 전달 및 Load/Tune 계산] [1] 2808
596 RF Power와 균일도 연관성 질문드립니다 [고주파 플라즈마 반응 특성] [2] 4307
595 구 대칭으로 편광된 전자기파를 조사할 때에 대한 질문입니다. [초고밀도 플라즈마] [1] file 424
594 CCP에서 전극에 쌓이는 막질에 의한 Capacitance 변화가 궁금합니다. [플라즈마 특성변화와 SH impedance 변화] [1] 2728

Boards


XE Login