안녕하세요. 전에도 몇번 질문드렸었습니다만,, 반도체 관련회사에서 근무하고 있습니다.

RF (ICP)장비를 다루고 있는데 impedence 위상관련해서 문의 좀 드리려고 합니다.

 

impedence 매칭은 저항과 위상으로 조정하데..

공정 parameter (Ar pressure , AC power 등)의 변화로 위상이 변화할수 있을까요?

변화된다면 어떤 이유로 변화되는지 조금 자세하게 설명을 듣고 싶습니다..

 

그리고 정말 죄송한데 smith chart program 을 사용하고 싶은데..도움 받을 site가 있을까요?

검색해서 찾아봐도 알수 없는 site로 이동이 되서...찾기가 어렵습니다만..

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [332] 103251
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24704
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61508
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73515
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105930
613 RF tune position과 Vms의 관계가 궁금합니다. [Chamber component, Matcher] [1] 1225
612 O2 Asher o-ring 문의드립니다. [Plasma heat와 dissociation] [1] 1226
611 플라즈마 코팅 [The Materials Science of Thin Films] [1] 1237
610 PECVD Uniformity [플라즈마 균일도 제어] [1] 1237
609 플라즈마를 이용한 오존 발생기 개발 문의 件 [오존발생기] [1] 1238
608 Plasma Reflect를 관리하는 방법이 있을까요? [임피던스 매칭] [1] 1239
607 상압플라즈마 제품 원리 질문드립니다 [I-V characteristic 방전 커브] [2] 1242
606 주파수 증가시 플라즈마 밀도 증가 [ICP, CCP 플라즈마 heating] [1] 1245
605 자기 거울에 관하여 1247
604 ICP Dry Etch 진행시 정전기 발생에 관한 질문입니다. [국부 전기장 형성 및 edge 세정] [1] 1251
603 플라즈마 이용 metal residue 제거방법 문의드립니다. [세정 공정 개발] [1] 1261
602 반도체 METAL ETCH시 CH4 GAS의 역할 [플라즈마 식각기술] [1] 1265
601 Self bias 내용 질문입니다. [쉬스와 표면 전위] [1] 1266
600 고진공 만드는방법. [System material과 design] [1] 1279
599 아래 382번 질문에 대한 추가 질문 드립니다. [Self bias와 capacitance] [1] 1285
598 Plasma에서 Coupled(결합)의 의미 [Power coupling과 breakdown] [1] 1289
597 전자 온도에 대한 질문이 있습니다. [Light flower bulb] [1] 1292
596 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 1301
595 3-body recombination 관련 문의드립니다. [Energy 보존 및 momentum 보존] [2] 1313
594 Dry Chamber VPP 변동 관련 질문입니다. [VI Phase] [1] 1317

Boards


XE Login