self bias에 대해서 정확히 알고 계십니다. Matching network에 직렬C 가 있음으로 M/N을 사용할 때 Blocking C는 필요없게 됩니다.
아울러 Insulator를 Electrode위에 놓은 상태라면 이 Insulator가 C 역할을 하게 됨으로 이때도 Blocking C가 없어도 self bias가 형성됩니다. 또한 대부분의 반응기에 전극들의 면적비가 상당합니다. 이유는 반응용기 자체를 접지 전극으로 생각학 수 있기 때문입니다.
이점 참고하시기 바랍니다.
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [269] | 76736 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20206 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57168 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68702 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92280 |
53 | sheath와 debye shielding에 관하여 | 27827 |
52 | 플라즈마를 손으로 만질 수는 없나요?? | 19072 |
51 | 플라즈마와 비행기에 미쳤거든여....^ _ ^ ; | 15621 |
50 | 플라즈마를 알기위해서는 어떤것을 알아두는 것이 좋.. | 18021 |
49 | 플라즈마 실험 | 21346 |
48 | PDP 에 대해서.. | 18306 |
47 | 마그네트론관 또는 그외반도체소자로 물을 고열증발가능? | 18215 |
46 | 플라즈마란? | 21057 |
45 | 플라즈마 밀도 | 29964 |
44 | smsith chart 공식 유도하는 방법? | 19658 |
43 | 이온과 라디칼의 농도 | 26997 |
42 | 역 수소폭탄에 대하여... | 16009 |
41 | Self Bias | 36382 |
40 | CCP 에서 Area effect(면적) ? | 21385 |
39 | self Bias voltage | 24035 |
38 | manetically enhanced plasmas | 21657 |
37 | 주변의 플라즈마에 대하여 | 18654 |
36 | plasma와 arc의 차이는? | 24670 |
35 | 우주 플라즈마 | 15348 |
34 | 등온플라즈마와 비등온플라즈마 | 18768 |
이 현상을 다음과 같이 이해하면 어렵지 않습니다. A/B 양면을 갖는 capacitor에 한쪽 (A)에는 rf전압을 인가되고 다른 한쪽(B)에는 가벼운 전자와 무거운 이온들로 구성된 플라즈마가 있습나다. A에 인가된 전
압에 따라서 B면에도 위상차가 나지만 전압이 유도될 것 입니다. B면에 유도되는 전압에 따라서 표면과 접촉하던 플라즈마 내의 전자와 이온들이 거동을 시작하면 표면으로 흘러들어 올 것 입니다. 한 주기 내에서 볼때 양의 전위가 B에 유도되면 전자들이 음의 전위가 유도되면 이온들이 표면으로 입사 될 것입니다. 이때 전자의 유동도가 이온의 유동에 비해서 매우커서, 즉 질량차에 의해서 보다 많은수의 전자들이 B면에 축적되게 될 것이며 주기가 반복되면서 표면의 전위를 계속해서 음으로 낮추는 결과를 초래합니다. 하면 언제까지 표면이 음전위를 갖게 될 것인가 하는 질문이 남습니다. 앞의 과정이 계속되면 표면 음전위가 낮아짐으로써 무거운 이온들이 더욱 가속을 받아 속도가 빠르게 되고 반대로 전자들은 속도가 점차 늦어 지게 되면서, 속도와 밀도를 곱한 값 flux, 즉 표면으로 흘러들어오는 전자 전류의 크기와 이온전류의 크기가 같아지는 조건을 만족하게 됩니다. (이는 capacitor임으로 직접 전류가 흐를 수 없기때문에 표면에서의 총 전류값이 0이 되어야 하는 조건을 만족합니다.) 이때 형성되는 B표면의 DC 전위를 Self Bias라 합니다. 따라서 insulator/혹은 semiconductor의 표면에 전압을 인가하기 위해서느 이 방법이 가장 유효하여 반도체 제조에는 늘 사용되는 방법입니다.