ICP Ar/O2 ICP 플라즈마 관하여
2018.12.21 07:56
안녕하세요, dusty 플라즈마를 활용해서 나노소재를 만드는 연구를 하는 한 학생입니다.
플라즈마 electron density 를 증가하고자 CCP 에서 ICP 로 바꿔서 실험을 진행하고 있는데요,
Ar gas 만 흘럿을때는 매우 아름다운 ICP 효과를 얻을 수 있는데,
O2 gas 를 넣는 순간 ICP 효과가 사라집니다.
튜브 사이즈는 직경 2인치이고, power 는 200 W 정도 인가하였는데
매칭박스의 매칭이 잘 되지는 않습니다.
주로 CCP 만 사용하다가 ICP 를 사용하게 되어 매칭박스에 관해 지식이 짧은데,
혹시 ICP 를 사용할때는 이 모드에 맞게 매칭박스를 바꾸어야 하는지요?
감사합니다.
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [128] | 5600 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 16878 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 51346 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 64207 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 84185 |
| 471 | Plasma Etching 교재 추천 부탁드립니다.. [3] | 855 |
| 470 | 기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다. [2] | 506 |
| 469 | ICP plasma에서 RF bias에 대한 문의가 있습니다 [2] | 2913 |
| 468 | VPS 공정에서 압력변수관련 질문입니다. [1] | 317 |
| 467 | 임피던스 실수부에 대해 궁금한 점이 있습니다. [4] | 1587 |
| 466 | 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [1] | 984 |
| 465 | Langmuir probe의 위치에 관한 질문입니다. [3] | 1004 |
| 464 | 상압플라즈마 제품 원리 질문드립니다 [2] | 772 |
| 463 | 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [1] | 1454 |
| 462 | plasma etching을 관련 문의드립니다. [1] | 1827 |
| 461 | Wafer particle 성분 분석 [1] | 1971 |
| 460 | 고온의 플라즈마와 저온의 플라즈마의 차이 [1] | 1301 |
| 459 | charge effect에 대해 [2] | 1189 |
| 458 | PECVD 증착에서 etching 관계 [1] | 1014 |
| 457 | 터보펌프 에러관련 [1] | 1499 |
| 456 | 프리쉬스에 관한 질문입니다. [1] | 443 |
| 455 | 부가적인 스퍼터링 관련 질문 드립니다. [1] | 887 |
| 454 | 플라즈마 충격파 질문 [1] | 676 |
| 453 | ESC Cooling gas 관련 [1] | 2933 |
| 452 | O2 Plasma 에칭 실험이요 [1] | 755 |
ICP는 antenna를 통해 RF power가 전달되고, CCP는 마주보고 있는 electrode를 통해서 전달되지요. 전기적으로 보면 antenna는 inductor로 가정이 될 수 있고, 평판형 전극은 capacitor로 가정할 수가 있습니다. 따라서 matcher는 inductor의 load impedance 혹은 capacitor의 load impedance 차이가 됩니다. 두 임피던스의 특성은 RF에 대해서 반비례하는 성질을 갖고 있으니, matcher가 정합하는 기능이 차이가 생길 수 밖에 없겠지요. 대부분 matcher의 회로를 변경해서 사용하며, 상세한 내용은 Lieberman의 principles of plasma discharges and material processing 의 내용을 참고하시면 되겠습니다. 일부 정합기에 대한 설명은 본 계시판에도 수록이 되어 있으니 참고하세요.