Sheath 쉬스(sheath)에서 전자와 이온의 감소 관련하여 질문
2020.05.06 19:33
안녕하세요.
대학원에서 플라즈마에 대해 공부하고 있습니다.
플라즈마 생성 후 절연체를 넣고 쉬스가 생성된 후에
플라즈마에서 기판으로 갈 때 전자는 지수적으로, 이온은 선형적으로 감소한다고 하는데
그 이유가 궁금합니다.
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [303] | 78037 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20847 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57737 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 69253 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 93631 |
598 | [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] | 3029 |
597 | 매칭시 Shunt와 Series 값 [1] | 2013 |
596 | RF Power와 균일도 연관성 질문드립니다. [2] | 3561 |
595 |
구 대칭으로 편광된 전자기파를 조사할 때에 대한 질문입니다.
[1] ![]() | 245 |
594 | CCP에서 전극에 쌓이는 막질에 의한 Capacitance 변화가 궁금합니다 [1] | 2440 |
593 | low pressure 영역에서 아킹이 더 쉽게 발생하는 이유에 관해 문의드립니댜. [1] | 1410 |
592 | 안녕하세요? 임피던스 매칭관련 질문드립니다. [1] | 2520 |
591 | electron energy distribution에 대해서 질문드립니다. [2] | 3326 |
590 | 안녕하세요 플라즈마의 원초적인 개념에서 궁금한 점이 생겨서 질문드립니다. [1] | 965 |
589 | 플라즈마 에칭 과 표면처리 의 차이점 질문드립니다. [1] | 2082 |
588 | RIE에서 O2역할이 궁금합니다 [4] | 4194 |
587 | 플라즈마 챔버 [2] | 1335 |
586 | Decoupled Plasma 관련 질문입니다. [1] | 1099 |
585 | 플라즈마 임피던스와 Vpp가 관련이 있나요? [1] | 3803 |
584 | 플라즈마 용어 질문드립니다 [1] | 813 |
583 | 안녕하세요 교수님. ICP관련하여 문의드립니다. [1] | 1715 |
582 | ICP-RIE etch에 관해서 여쭤볼것이 있습니다!! [1] | 1477 |
581 | 플라즈마 이용 metal residue 제거방법 문의드립니다. [1] | 936 |
580 | RF 반사파와 이물과의 관계 [1] | 1191 |
좋은 질문입니다. Floating sheath의 형성과정에 답이 있군요. 쉬스 공부를 해 보시고, 참고로 전자는 지수적의 의미는 Boltzmann relation의 해석인 것 같은데, 그 의미는 밀도 차이가 생기면 그 차이만큼 에너지 차이 (potential) 형성이 된다는 의미이며, 이온이 선형적으로 변한다믄 의미는 쉬스 내에서 충돌이 거의 없어 공간에 형성되는 전위 차이 만큼의 이온들이 운동을 한다는 의미입니다. 쉬스 공부에 참고가 될 것입니다.
타킷(삽입부도체)에는 전류 값이 = 0 이므로 (전류가 흐르지 않으니) 플라즈마 특성 상 전자 전류 밀도=이온전류 밀도가 되는 조건 (이온은 지속적으로 가속되면서)이 되는 표면 전위 (하전입자 ( 이경우 전자들)이 충전되면서 (방전시까지) 표면 전위 유지)와멀리 떨어져 있는 플라즈마 공간 전위와 차이를 가지는 쉬스가 형성됩니다.
(추가로, 쉬스 경계 조건, 이온속도=Bohm 속도=sqrt(Te/M)과 쉬스 경계까지 공간 플라즈마가 확산하고 있으므로, 경계에서의 플라즈마(이온) 밀도는 Boltzmann relation에 의거해서 n(s)=n(공간/중심)exp(-1/2)의 값을 가집니다. (하지만 이는 확산 특성에 따라 변하니 신중할 필요있음) 따라서 쉬스 경계에서 입사하는 이온속=n(중심)exp(-1/2) x Bohm 속도로 전류 밀도를 추적할 수가 있고, 이는 공정률 (rate)에 기여합니다. 여기에 쉬스 에너지를 곱하면 이온이 전달하는 에너지 속의 크기도 예상되며, 플라즈마-표면 반응의 해석 인자로 활용할 수가 있습니다.