Plasma Source H-field 측정위치에 따른 H Field MAP 변화 관련
2020.06.09 18:30
안녕하세요 플라즈마 소스개발을 하고 있는 김상규라고 합니다.
전자기장 시뮬레이션을 통해 ICP Source 를 개발 중에 있습니다만 이해가 되지 않는 부분이 있어 질문 드립니다.
조건 : 1000mm X 1000mm chamber , process gap 250mm , icp source , H-field 관측 , Source only (bias x)
현상 : 상부 Antenna 근처에서 측정(antenna로 부터 30mm) Map 이 center high 인데 substrate (substrate 표면으로 부터 5mm) 로 내려오 면 center 가 low 가 됨. (stage 에 절연층을 쌓아도 비슷함)
질문 : side, 4corner 가 low 로 되는 것은 챔버 벽면으로 electron 이 빠져나가면서 그럴수 있다고 생각 됩니다만
왜 Chamber 벽면에서 가장 먼 가장자리(substrate center position) 의 field 가 약해지는 것 인지 궁금합니다.
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [303] | 78038 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20848 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57737 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 69253 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 93633 |
598 | [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] | 3029 |
597 | 매칭시 Shunt와 Series 값 [1] | 2013 |
596 | RF Power와 균일도 연관성 질문드립니다. [2] | 3561 |
595 |
구 대칭으로 편광된 전자기파를 조사할 때에 대한 질문입니다.
[1] ![]() | 245 |
594 | CCP에서 전극에 쌓이는 막질에 의한 Capacitance 변화가 궁금합니다 [1] | 2440 |
593 | low pressure 영역에서 아킹이 더 쉽게 발생하는 이유에 관해 문의드립니댜. [1] | 1410 |
592 | 안녕하세요? 임피던스 매칭관련 질문드립니다. [1] | 2520 |
591 | electron energy distribution에 대해서 질문드립니다. [2] | 3327 |
590 | 안녕하세요 플라즈마의 원초적인 개념에서 궁금한 점이 생겨서 질문드립니다. [1] | 965 |
589 | 플라즈마 에칭 과 표면처리 의 차이점 질문드립니다. [1] | 2082 |
588 | RIE에서 O2역할이 궁금합니다 [4] | 4194 |
587 | 플라즈마 챔버 [2] | 1335 |
586 | Decoupled Plasma 관련 질문입니다. [1] | 1099 |
585 | 플라즈마 임피던스와 Vpp가 관련이 있나요? [1] | 3803 |
584 | 플라즈마 용어 질문드립니다 [1] | 813 |
583 | 안녕하세요 교수님. ICP관련하여 문의드립니다. [1] | 1715 |
582 | ICP-RIE etch에 관해서 여쭤볼것이 있습니다!! [1] | 1477 |
581 | 플라즈마 이용 metal residue 제거방법 문의드립니다. [1] | 936 |
580 | RF 반사파와 이물과의 관계 [1] | 1191 |
ICP H field 측정 관련 Hopwood 1993 (JVST A11, 152)를 참고해 보세요. H field는 1/.r 로 감소하므로 거리가 멀어지면 줄고, 유도기전력
E-theta 크기도 감소하게 됩니다. 대략 skin depth 내에서 에너지 전달하므로 안테나 근방에서 대부분의 플라즈마가 형성되고, 플라즈마는 확산하여 생성부 근방 (안테나 근방)에서는 센터 peak 형태, 아래로 내려오면서 점차 peak는 완만해 질 수 있습니다. 가열 공간에서 확산이 심한 조건이면 하부에서 플라즈마 분포는 중심부가 줄어드는 쌍봉 형태의 모양을 가질 수 있으므로 시뮬레이션은 크게 문제가 될 것 같지 않습니다.
따라서 전기장 분포와 함께 플라즈마 수송 특성을 안테나 면적/전력/운전압력/전극위치등의 장비 윤전 조건과 구조 조건에 대해 추가 해석이 필요해 보입니다. 아울러 ICP 기전과 관련해서 표준과학연구원(KRISS)에 계시는 이효창박사님께 문의드려 보시면 좋은 답변 구하실 수 있겠습니다.