안녕하십니까 RF Power 공급 업체에 다니고 있는 직장인 입니다.
 
한가지 궁금한 점이 있어서 질문 올립니다.
 
현재 장비사에서 다른 Power 업체에서 사용하던 것을 저희 업체로 변경 하여 사용했는데
 
공정 결과 ER이 20% 낮게 나왔다고 합니다.
 
공정 시 같은 Power, 같은 ICP설비 안테나로 진행 하였으며 RF Matcher와 RF Generator의 Maker만 바뀐 상황입니다.
 
이와 관련하여 혹시 Matcher가 ER을 낮게 할 수 있는 원인이 될 수 있는지 여부가 궁금합니다.
 
혹시 관련된 자료 있으면 링크좀 부탁드리겠습니다.
 
감사합니다.
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [332] 103134
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24696
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61483
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73500
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105907
612 CVD (CCP) 공정의 Chamber seasoning과 플라즈마 밀도 [Plasma information variable model] [1] 2630
611 라디컬의 재결합 방지 [해리 반응상수] [1] 1110
610 LF Power에의한 Ion Bombardment [플라즈마 장비 물리] [2] 2806
609 PECVD와 RIE의 경계에 대해 [DC bias 형성 판단] [1] 2070
608 전자 온도 구하기 [쉬스 전압, 스퍼터링 효과] [1] file 1639
607 공정 진행 중 의도적인 섭동 효과에 대해서 질문 드립니다. [Rise rate] [1] 521
606 CVD 공정에서의 self bias [이차 전자 생성, 입사 이온 에너지 분포] [1] 3950
605 PP & PET 친수성과 접착성 유지 질문입니다. [소수/친수성 조절 연구] [1] 3584
604 잔류시간 Residence Time에 대해 [표면 유속 정보, 유체해석 코드] [1] 1674
603 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 답변 정말 감사합니다! 2066
602 ESC Polymer cracking 제거를 위한 ISD 공정 문의 1783
601 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 어떤 이유들이 있을까요..? [Chamber impedance] [2] 1465
600 CCP에서 접지된 전극에 기판을 놓았을 때 반응 [Self bias] [1] 1419
599 Edge ring과 플라즈마 밀도 균일성 [플라즈마 생성 분포와 sheath 전기장] [1] 2408
598 Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련 [Sheath 전위 형성] [3] 3847
597 매칭시 Shunt와 Series 값 [RF 전원 전력 전달 및 Load/Tune 계산] [1] 2818
596 RF Power와 균일도 연관성 질문드립니다 [고주파 플라즈마 반응 특성] [2] 4315
595 구 대칭으로 편광된 전자기파를 조사할 때에 대한 질문입니다. [초고밀도 플라즈마] [1] file 424
594 CCP에서 전극에 쌓이는 막질에 의한 Capacitance 변화가 궁금합니다. [플라즈마 특성변화와 SH impedance 변화] [1] 2732

Boards


XE Login