안녕하세요, 현재 반도체 회사에서 근무 중입니다.

관리하는 설비 중 Decoupled Plasma를 사용하는 설비가 있습니다.

ICP Type의 설비이고 ESC Chuck은 사용하지않습니다.

pulsed rf power를 사용하는 설비인데, 여기서 decoupled plasma의 개념에 대해 궁금해서 질문남깁니다.

 

질문) Decoupled Plasma는 ion density와 ion energy를 분리한다는 의미인데 rf power의 상승에 따라 ion density는 상승하지만 ion energy는 낮은 상태를 유지하는 Mechanism이 궁금합니다.

 

항상 많이 배우고 있습니다.

감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] 77048
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20373
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57282
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68830
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92830
581 RF Antena와 Matcher 間 상관관계 문의드립니다. [1] 1021
580 langmuir probe관련하여 질문드리고 싶습니다. [1] file 1025
579 DC Magnetron Sputter 플라즈마 진단 [1] 1029
578 CCP Plasma 해석 관련 문의 [1] file 1030
577 Plasma 에서 Coupled (결합) 의 의미 [1] 1035
576 플라즈마 코팅 [1] 1042
575 진학으로 고민이 있습니다. [2] 1042
574 DC Plasma 전자 방출 메커니즘 1050
573 리모트 플라스마 소스 AK 부품 수출 관련 질문 입니다 반도체 장비 부풉ㅁ 1051
» Decoupled Plasma 관련 질문입니다. [1] 1065
571 RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [1] 1073
570 Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유 [1] 1073
569 고전압 방전 전기장 내 측정 [1] file 1074
568 HEATER 교체 이후 SELF BIAS 상승관련 문의 [1] 1082
567 Plasma Etching 교재 추천 부탁드립니다.. [3] 1084
566 Plasma Arching [1] 1085
565 Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다. [1] 1100
564 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 어떤 이유들이 있을까요..? [2] 1106
563 etch defect 관련 질문드립니다 [1] 1106
562 전자밀도 크기에 대하여 질문드립니다. (Ar, O2, N2 가스) [1] 1122

Boards


XE Login