안녕하세요. 일반 회시에 다니는 회사원입니다.

다름이 아니고 마이크로웨이브파를 이용 플라즈마 발생장치에 관심이 있어 질문 드립니다.

만약 마그네트론 + 리액터 + 웨이브가이드  3개로 구성된 장치가 있는데 만약 여기에 사용되는 전력이 플라즈마를 발생시키기 위해서 마그네트론

과 리액터내 플라즈마를 발생시키기 위한 전력만 소모되는지요? 마그네트론은 1kw짜리 이고 리액터에 사용되는 플라즈마 발생장치는 저온 플라즈마(500~600도) 입니다.

개발업체에서는 플라즈마를 발생시키기 위해서 사용전력이 많이 들어간다고 하는데 얼마정도 인지 확인이 안되고 있습니다.

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [256] 76437
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 19997
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57070
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68543
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91344
557 식각 가스 사용 챔버의 잔류 flourine cleaning 혹은 conditioning 방법 질문 [1] 1065
556 전자 온도 구하기 [1] file 1072
555 Plasma Ignition 시 Gas 사용에 대한 궁금증 요청드립니다. [1] 1073
554 MFP와 Sheath 관련하여 추가 질문 드립니다. [1] 1079
553 RF 반사파와 이물과의 관계 [1] 1083
552 RPSC 시 Pressure와 Throttle Valve Position의 관계 [1] file 1090
551 Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] 1093
550 wafer bias [1] 1101
549 플라즈마 주파수 예측관련 질문드립니다 [1] 1107
548 공정플라즈마 [1] 1111
547 Uniformity 관련하여 문의드립니다. [1] 1112
546 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 1123
545 자기 거울에 관하여 1125
544 Group Delay 문의드립니다. [1] 1128
543 산소 플라즈마 처리 관하여 질문드립니다. [1] 1128
542 O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 file 1131
541 대학원 진학 질문 있습니다. [2] 1133
540 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [1] 1136
539 ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [1] 1143
538 RF Generator 주파주에 따른 Mathcer Vrms 변화. [1] 1158

Boards


XE Login