안녕하세요. 플라즈마 연구실에서 식각 공정을 연구중인 대학원생입니다.

 

CF4 등 flourine 계열의 식각 가스를 사용하는 ICP 챔버를 이용해 관련 연구를 진행하고 있습니다.

연구 특성상 식각 가스를 비교적 장시간 사용 하고 있는데요, (ex) 실험 1 run당 continous하게 flourine plasma 1 시간 방전) 그러다보니 

실험을 진행함에 따라 안테나 쪽 dielectric, edge ring, chamber wall 등 이 점점 까맣게 바뀌고 있습니다.

 

결정적인 문제는 Ar이나 N2 plasma 방전 실험에서도 시료 표면에서 flourine 성분이 측정되어, 플라즈마 방전 시, 챔버 parts 표면에서 flourine이 나오는 것으로 추정하고 있습니다. 실험간 O2 plasma를 통해 carbon에 대한 conditioning은 진행하고 있지만 잔류 flourine도 제거하는 방법이 있을 지 여쭙고 싶습니다.

없다면 챔버 parts에 대한 보수를 진행하려고 하는데, liner를 사용하지 않는 챔버라 wall에 대한 보수는 현실적으로 어려운 상황워서 conditioning이 간절하네요..

 

H2 plasma를 사용하여 Si wafer의 flourine을 제거하는 논문을 일부 보긴 했습니다만, 챔버 내부 parts에 대해서도 유효한 방법일 지는 모르겠습니다.

 

답변 부탁드리겠습니다.

감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [266] 76697
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20153
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57159
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68681
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92220
567 RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [1] 1055
566 전자밀도 크기에 대하여 질문드립니다. (Ar, O2, N2 가스) [1] 1055
565 고전압 방전 전기장 내 측정 [1] file 1062
564 Plasma Etching 교재 추천 부탁드립니다.. [3] 1068
563 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 어떤 이유들이 있을까요..? [2] 1073
562 Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다. [1] 1086
561 엘립소미터 측정관련해서 질문이 있습니다. [1] 1100
» 식각 가스 사용 챔버의 잔류 flourine cleaning 혹은 conditioning 방법 질문 [1] 1107
559 RF 반사파와 이물과의 관계 [1] 1112
558 잔류시간 Residence Time에 대해 [1] 1113
557 MFP와 Sheath 관련하여 추가 질문 드립니다. [1] 1114
556 Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] 1118
555 전자 온도 구하기 [1] file 1123
554 wafer bias [1] 1127
553 플라즈마 주파수 예측관련 질문드립니다 [1] 1130
552 자기 거울에 관하여 1137
551 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 1141
550 Group Delay 문의드립니다. [1] 1143
549 공정플라즈마 [1] 1145
548 O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 file 1152

Boards


XE Login