Sheath 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다.

2019.04.11 13:18

PJH 조회 수:1156

안녕하세요. 플라즈마 물리를 공부하고 있는 학생입니다.

쉬쓰천이지역쪽을 살펴보는데 이해가 안가는 부분이 있어서 질문올립니다.

 쉬쓰천이지역에서 이온의 속도를 구할 때 왜 전자의 온도를 적용하는지 모르겠습니다.

제가 사용하는 교재에는 맥스웰볼츠만식에서의 속도는 이온의 온도에 의존하는 반면에 이 쉬쓰에 들어오는 이온의 속도는 이온의 온도가 아닌 전자의 온도에 의존하므로 속도가 빨라진다. 라고만 쓰여있는 그 이유에 대해서 언급이 안되어 있습니다.

왜 그런지 알 수 있을까요?

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [269] 76732
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20202
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57168
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68701
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92280
549 챔버내 Arcing 발생 개선안에 대해 질문드립니다. [3] 4486
548 Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] 1121
547 플라즈마 PIC 질문드립니다. [1] 10379
546 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 2453
545 O2 Asher o-ring 문의드립니다. [1] 890
544 진공장치 챔버내 산소 또는 수분 제거 방법에 대해 [1] 3752
543 자외선 세기와 결합에너지에 대해 질문드립니다. [1] 484
542 Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] 2262
541 플라즈마 입자 운동 원리(전자기장에서) [1] 1795
540 CCP/ICP 의 플라즈마 밀도/균일도 에 대해서 질문이 있습니다. [3] 3708
539 플라즈마 살균 방식 [2] 11448
538 Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] 1376
537 RF/LF에 따른 CVD 막질 UNIFORMITY [1] 2397
536 H-field 측정위치에 따른 H Field MAP 변화 관련 [1] 434
535 Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다. [1] 1087
534 Matcher의 Load/Tune Position 거동에 관해 질문이 있습니다. [2] 3196
533 O2 plasma, H2 plasma 처리 관련 질문이 있습니다. [1] 6437
532 Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] 1244
531 RPS를 이용한 SIO2 에칭 [1] 2382
530 쉬스(sheath)에서 전자와 이온의 감소 관련하여 질문 [1] 1908
쓰기
태그

Boards

XE Login