안녕하세요.

 

저는 CVD로 탄소화합물을 합성하는 일을 하고 있습니다만, 진공장치, 플라즈마에 대해서는 전공분야가 아니다 보니 원천기술이 많이 부족합니다.

 

알곤 분위기의 CVD장비로 수소와 탄소 등의 가스를 사용하여 탄소화합물을 만들때 챔버 내부의 오염이 공정에 영향을 주는 것으로 파악되고 있는데, 추정하기를 챔버 내부의 산소 또는 수분의 영향으로 짐작하고 있습니다.

1. 챔버의 진공도를 어느 정도 낮추어야 산소나 수분의 영향을 거의 없도록 할 수 있을까요? 물론 UHV까지 낮추면 좋겠지만, 통상 10 -6승에서 10 -3승까지 운용하고 있는데, 이 정도의 진공도에서 산소나 수분의 영향이 어떤지 모르겠습니다.

 

2. 완전한 고진공(UHV)로 내리는 것 말고 산소나 수분을 효율적으로 제거하는 방법이 있는지요?

3. 챔버 내벽에 산소나 수분이 붙어 있다고 해도, 챔버 내부로 떨어져 공간에 있지 않다면(물론 내벽에서 떨어지면 공간에 있겠지만, 진공을 계속 뽑는중이라 제거가 되지 않는지?) 챔버 내부의 샘플에 영향을 줄지 아니면 외부로 배출되는 확률이 높은지 알 수 있을까요? 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [332] 103150
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24696
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61485
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73500
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105910
592 low pressure영역에서 아킹이 더 쉽게 발생하는 이유에 관해 문의드립니다. [파센 커브와 글로우 방전] [1] 1732
591 안녕하세요? 임피던스 매칭관련 질문드립니다. [회로인자 및 구동기구, 플라즈마 특성] [1] 6542
590 electron energy distribution에 대해서 질문드립니다. [Maxwallian EEDF] [2] 3751
589 안녕하세요 플라즈마의 원초적인 개념에서 궁금한 점이 생겨서 질문드립니다. [DC glow discharge] [1] 1168
588 플라즈마 에칭과 표면처리의 차이점 질문드립니다. [Cleaning, sputter etching, RIE] [1] 2405
587 RIE에서 O2역할이 궁금합니다 [충돌 반응 rate constant] [4] 5296
586 플라즈마 챔버 [화학반응 및 내열조건] [2] 1696
585 Decoupled Plasma 관련 질문입니다.[플라즈마 내 입자의 거동] [1] 1406
584 플라즈마 임피던스와 Vpp가 관련이 있나요? [플라즈마 주파수와 Vpp, sheath] [1] 4398
583 플라즈마 용어 질문드립니다. [Self bias] [1] 1091
582 안녕하세요 교수님. ICP관련하여 문의드립니다. [Faraday shield] [1] 1985
581 ICP-RIE etch에 관해서 여쭤볼것이 있습니다. [He 혼합비와 플라즈마 밀도] [1] 1905
580 플라즈마 이용 metal residue 제거방법 문의드립니다. [세정 공정 개발] [1] 1261
579 RF 반사파와 이물과의 관계 [Physical/chemical cleaning] [1] 1456
578 타겟 임피던스 값과 균일도 문제 [플라즈마 확산] [1] 589
577 압력과 플라즈마 크기의 관계가 궁금합니다. [Mean free path] [1] 29575
576 Plasma arcing 관련하여 문의드립니다. [플라즈마 내 전자 축적] [1] 1876
575 Load position관련 질문 드립니다. [Impedance matching] [1] 2930
574 Floride 스퍼터링 시 안전과 관련되어 질문 [Sputter setup 및 구동 원리] [1] 750

Boards


XE Login