안녕하세요 플라즈마 소스개발을 하고 있는 김상규라고 합니다.

전자기장 시뮬레이션을 통해 ICP Source 를 개발 중에 있습니다만 이해가 되지 않는 부분이 있어 질문 드립니다.

조건 : 1000mm X 1000mm chamber , process gap 250mm , icp source , H-field 관측 , Source only (bias x)

현상 : 상부 Antenna 근처에서 측정(antenna로 부터 30mm)  Map 이 center high 인데 substrate (substrate 표면으로 부터 5mm) 로 내려오  면 center 가 low 가 됨. (stage 에 절연층을 쌓아도 비슷함)

질문 : side, 4corner 가 low 로 되는 것은 챔버 벽면으로 electron 이 빠져나가면서 그럴수 있다고 생각 됩니다만

          왜 Chamber 벽면에서 가장 먼 가장자리(substrate center position) 의 field 가 약해지는 것 인지 궁금합니다.

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