Etch wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상
2018.02.12 12:03
안녕하세요. 반도체 장비업체에서 근무하는 권보경입니다.
icp descum 장비에서 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상이 발생합니다.
Etch Rate이 감소하는 것은 있을 수 있는 일이지만 50% 이하로 나빠진 상태입니다.
어떤 변수들이 있을 수 있는지, 하드웨어 적으로는 어떤 점을 개선해야 하는지 궁금합니다.
또한 다른 site에 있는 동일 장비에서는 같은 조건에서 Er이 크게 떨어지지 않는데
source power의 차이로 인한 열전달효율이 크게 다르기 때문이라고 볼 수 있는지요.
맞다면 이에 해당하는 공식이 무엇인지 알고 싶습니다.
답변 해주시면 감사하겠습니다.
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [269] | 76736 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20206 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57168 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68702 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92280 |
549 | 공정플라즈마 [1] | 1145 |
548 | 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [1] | 1156 |
547 | RPSC 시 Pressure와 Throttle Valve Position의 관계 [1] | 1156 |
546 | 대학원 진학 질문 있습니다. [2] | 1157 |
545 | O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 | 1157 |
544 | 산소 플라즈마 처리 관하여 질문드립니다. [1] | 1164 |
543 | Uniformity 관련하여 문의드립니다. [1] | 1169 |
542 | PECVD Cleaning에서 Ar Gas의 역활 [1] | 1174 |
541 | Plasma Ignition 시 Gas 사용에 대한 궁금증 요청드립니다. [1] | 1177 |
540 | ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [1] | 1179 |
539 | 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] | 1183 |
538 | RF Generator 주파주에 따른 Mathcer Vrms 변화. [1] | 1192 |
537 | micro plasma에 사용되는 전력을 알고 싶습니다. [1] | 1220 |
536 | 플라즈마 형성시 하전입자의 밀도와 챔버에 관련해서 질문드립니다. [2] | 1226 |
535 | 반도체 관련 플라즈마 실험 [1] | 1227 |
534 | 플라즈마의 직진성에 관해 질문드립니다. [2] | 1237 |
533 | RF Power 인가 시 Gas Ramping Flow 이유 [1] | 1239 |
532 | 플라즈마 챔버 [2] | 1243 |
531 | Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] | 1244 |
530 | 임피던스 매칭 및 플라즈마 진단 [1] | 1270 |