Remote Plasma RPSC 시 Pressure와 Throttle Valve Position의 관계
2022.09.19 21:05
RPSC(Remote Plasma Source Cleaning) 시 Pressure, Throttle Valve Position 관계에 대해 질문드립니다.
■ 목적
: PECVD Chamber를 주기적으로 SiNx 박막을 RPSC(NF3 사용)로 세정을 하는데, 세정 효율을 증가(=세정 시간 단축)시키고자 합니다.
■ 현상
: 저희 설비는 ① 압력을 고정(=Throttle Valve가 움직임)시키거나 ② Throttle Valve를 고정(=압력 변함)시키는 두 가지 방법 중 하나를 택합니다. 기존에는 Throttle Valve를 절반 정도 오픈되게 고정하고 RPSC를 진행합니다. 이때, RPSC 시간에 따른 압력 곡선은 하기와 같습니다.
반응식 : NF3 + SiNx → SiF4
RPSC 초기에는 SiNx + NF3이 폭발적으로 일어나는 초기에는 압력이 증가합니다. 이는 NF3와 SiNx 간 반응으로 SiF4가 형성되는 화학반응이 부피가 팽창하는 것으로 보입니다.
상기 곡선에서 Throttle Valve는 상시 Half Open입니다.
다음은 세정 효율을 증가(=세정 시간 단축)시키기 위한 세 가지 방안입니다.
■ 세정 효율 개선 방안(세정 시간 단축)
① RPSC 초기 Throttle Valve Full Open → RPSC 후기 Throttle Valve Half Open
RPSC 초기엔 폭발적인 반응으로 SiF4가 형성되는 데, 압력이 높아진다는 건 생성물(SiF4) 농도가 높음을 의미한다. 따라서 반응 초기에 Throttle Valve를 Full Open하여 SiF4를 배출시키면 NF3에 의한 세정 작용이 활발해질 것이다.
② RPSC 초기 Throttle Valve Half Open → RPSC 후기 Throttle Valve Full Open
RPSC 초기부터 Throttle Valve를 Full Open하면 생성물(SiF4)가 빠르게 제거되겠지만, 반응물(NF3)의 챔버 내 잔류시간이 줄어드므로 되려 효율이 낮아질 수 있다. 다만 압력이 Peak가 되는 시점에서 생성물(SiF4)의 농도가 높은 건 좋지 않으므로, RPSC 후기부터 Throttle Valve를 Full Open하여 RPSC 후기의 반응물(NF3) 농도를 높여 세정 효율을 높인다.
③ Throttle Valve를 고정하지 않고 압력을 고정
상기처럼 세 가지 방안 중 고민하고 있습니다. 세 가지 방안 중에서 적절해보이는 방안이나 그 밖에 제안해주실 수 있는 방안이 있으시면 조언 부탁드립니다.
항상 자세한 답변에 감사드립니다.
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [271] | 76767 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20224 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57174 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68716 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92355 |
550 | Group Delay 문의드립니다. [1] | 1145 |
549 | 공정플라즈마 [1] | 1150 |
548 | 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [1] | 1157 |
547 | O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 | 1157 |
» | RPSC 시 Pressure와 Throttle Valve Position의 관계 [1] | 1158 |
545 | 대학원 진학 질문 있습니다. [2] | 1161 |
544 | 산소 플라즈마 처리 관하여 질문드립니다. [1] | 1166 |
543 | Uniformity 관련하여 문의드립니다. [1] | 1169 |
542 | PECVD Cleaning에서 Ar Gas의 역활 [1] | 1179 |
541 | ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [1] | 1181 |
540 | 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] | 1183 |
539 | Plasma Ignition 시 Gas 사용에 대한 궁금증 요청드립니다. [1] | 1184 |
538 | RF Generator 주파주에 따른 Mathcer Vrms 변화. [1] | 1195 |
537 | micro plasma에 사용되는 전력을 알고 싶습니다. [1] | 1220 |
536 | 반도체 관련 플라즈마 실험 [1] | 1233 |
535 | 플라즈마 형성시 하전입자의 밀도와 챔버에 관련해서 질문드립니다. [2] | 1236 |
534 | 플라즈마의 직진성에 관해 질문드립니다. [2] | 1238 |
533 | RF Power 인가 시 Gas Ramping Flow 이유 [1] | 1244 |
532 | Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] | 1245 |
531 | 플라즈마 챔버 [2] | 1247 |